AMD 發布 Zen 5 製程和計算晶片尺寸詳情,Eldora CCD 晶片密度較 Zen 4 提升 27%。
AMD Zen 5 架構晶片密度重大突破
AMD 在最近舉行的 AMD 技術日上發布了關於 Zen 5 製程和計算晶片尺寸的詳細資訊,活動中也全面介紹了關於 AMD 針對桌面和行動裝置的下一代架構。
AMD 確認,代號為 Eldora 的 CCD 最多可容納 8 個 Zen 5 核心,面積為 70.6 mm²,與 Zen 4 的 71 平方毫米幾乎相同。儘管尺寸相似,但架構已經過重大改進,將為未來的 Zen 世代奠定基礎。雖然許多規格與 Zen 4 保持不變 (例如相同的核心數量和快取大小),但製程的進步使 AMD 能夠在核心設計中集成更多電晶體。
Ryzen 9000 處理器繼續使用與前代相同的 IOD (輸入 / 輸出晶片),因此在這方面沒有變化。然而,Zen 5 採用台積電 4 nm FinFET 製程 (具體為 N4P),而 Zen 4 使用的是 5 nm FinFET 製程。雖然 AMD 沒有確認 Zen 5 晶片中的確切電晶體數量,但非官方消息指出它包含 83.15 億個電晶體。這使得晶片密度達到 117.78 MTr/mm²,比 Zen 4 高 26.8%。
比較 Ryzen 9000 CCD 和 7000 CCD,可以看到晶片面積幾乎不變 (僅減少 0.005%),但 CCD 電晶體密度卻增加 26.8%。這一進步充分展示 AMD 在製程和架構設計上的努力。
此外,AMD 還確認 Strix Point 的單片式晶片面積將達到 232.5 mm²,比前代 Phoenix1 大 30.6%。雖然官方尚未確認電晶體數量,但值得注意的是,Strix Point 將擁有更大的 L2 和 L3 快取,以及顯著增強的圖形處理能力 (16 個計算單元,相比之下 Phoenix1 為 12 個)。
兩種架構都計劃在本月底發布。晶片密度的大幅提升代表 Ryzen 9000 系列可能在性能和能效方面都有顯著改進。更高的電晶體密度也使得 AMD 能夠在相同面積內整合更多功能單元或最佳化現有設計,可能帶來更好的單核心性能、更高效的多核心處理能力,以及更強大的內置圖形性能。
對於消費者來說,下一代 AMD 處理器可能會在各個方面都有所提升,無論是日常辦公、創意工作還是遊戲體驗。然而,具體的性能提升還需要等待實際產品發布後的獨立測試來驗證。
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