在 AI 產業競爭白熱化的當下，記憶體早已不是配角，而是決定整個 AI 生態系能走多遠的關鍵引擎。SK Hynix 執行長郭魯正日前於 2026 年 Global Forum 上，親自為這場記憶體大戰下了註解，也讓外界再次看見這家韓國半導體巨頭在全球佈局上的野心。
SK Hynix 定調產業方向
根據韓國媒體 The Elec 報導，SK Hynix 執行長郭魯正日前在美國加州聖塔克拉拉萬豪酒店舉行的 2026 年 Global Forum 上表示，隨著 AI 產業持續成長，AI 記憶體的需求將維持在高檔，SK Hynix 會透過新的全球生產基地與研發架構，鞏固自家的技術優勢與市場地位。他更進一步強調，人工智慧產業如果沒有記憶體，根本無法成立，就像過去 SK Hynix 用高頻寬記憶體寫下新的里程碑一樣，公司也準備透過次世代記憶體，替 AI 打開更多可能性。
這番談話的份量其實跟 SK Hynix 目前在記憶體市場的處境息息相關，目前全球 DRAM 與各類記憶體市場，由 SK Hynix、三星電子與美光組成的「三巨頭」把持多年，但中國記憶體廠 CXMT 近期急起直追，市佔率快速攀升，也讓這場戰局多了一絲變數。也因此，如何持續投資新產能、維持技術領先，成了 SK Hynix 接下來幾年的核心課題。
要守住市場地位，靠的不只是口號，而是實際砸錢蓋廠。SK Hynix 目前正同步推進南韓京畿道龍仁半導體叢集，以及美國印第安納州的先進封裝廠這兩大重點專案，並在美國另外設立全新的 AI 研發中心。
事實上，龍仁半導體叢集的興建進度近期明顯加快。根據先前公開資訊，SK Hynix 原訂 2027 年才要啟用的龍仁 Y1 廠首座無塵室，已提前兩個月，預計 2027 年 2 月就能開放，反映出公司對 HBM 需求快速攀升所做出的應變。而美國印第安納州的先進封裝廠，則已在 2026 年 8 月正式動工，鎖定 2028 年下半年全面投產，主要生產包括 HBM 在內的次世代 AI 記憶體產品。「韓國擴產、美國卡位」的雙軌策略正是 SK Hynix 維持全球競爭力的核心佈局。
除了廠房擴張，SK Hynix 在產品端的動作同樣積極。目前公司已量產 HBM、LPDDR、DDR 等多條產品線，其中最新的 HBM4 標準已經導入輝達 Rubin 系列 AI 加速器，成為 AI 晶片供應鏈中不可或缺的一角。與此同時，公司也持續推進下一代 HBM4E 規格的研發。
從先前公開的技術細節來看，SK Hynix 的 12 層 HBM4E 樣品單顆容量達到 48GB，腳位傳輝速度最高可達 16Gbps，單一堆疊的記憶體頻寬上看 4 TB/s，相較上一代 HBM4 在能源效率上還提升逾兩成。公司採用的先進 MR-MUF 封裝製程，也讓熱阻表現比 HBM4 世代再降低約一成七，對於堆疊層數愈疊愈高、發熱問題日益嚴峻的 AI 記憶體來說，是相當關鍵的技術突破。除了 HBM 陣營，鎖定 PC 與手機市場的次世代 LPDDR6 及 DDR6，也都已排入公司明年的推出計畫，顯示 SK Hynix 並不打算只靠 AI 伺服器這條單一戰線吃遍市場。
整體來看，郭魯正這番在 Global Forum 上的發言，其實把 SK Hynix 接下來的策略講得非常明確：記憶體已經是 AI 時代真正的核心基礎建設，而不是單純的零組件。透過龍仁與印第安納兩大生產基地的擴建，加上美國新設的 AI 研發中心，SK Hynix 想做的不只是維持現有市佔，而是替下一波 AI 記憶體需求提前卡位。在 HBM 的成功經驗之上，公司接下來能否順利把 HBM4E、LPDDR6、DDR6 等次世代產品如期端上市場，將直接影響這場記憶體霸主之爭的最終走向。
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