SK Hynix 執行長郭魯正表示，2027 年將是記憶體產業「史上供應最吃緊」的一年，晶圓產能雖增 12%，卻因 HBM 大量吃掉產能，導致一般 DRAM 位元成長率僅 15%，遠低於 22% 的市場需求，供需失衡恐延續至 2030 年後，DRAM 漲價壓力短期難解，消費性電子成本恐持續攀升。
SK Hynix 明年供應恐創產業史上最糟紀錄
眼下這波記憶體「漲價狂潮」已經夠嗆，但 SK Hynix 執行長郭魯正的最新發言，恐怕會讓消費性電子產業更加坐立難安。他在近期公開談話中直言，2027 年很可能會是「記憶體產業史上，從供應端來看最艱困的一年」。更值得留意的是，郭魯正進一步預告，就算時間拉到 2030 年之後，客戶端的需求恐怕都還是會持續超越業界的供應能力，短期內記憶體缺貨、漲價的壓力恐怕很難真正獲得緩解。
根據產業報告分析，2027 年到 2028 年間，記憶體相關晶圓供應預計將以每年約 12% 的幅度成長。乍聽之下似乎是個正面消息，但魔鬼藏在細節裡：這 12% 成長中有將近一半的產能會被 HBM (高頻寬記憶體) 直接吃掉。換句話說，真正能分配給一般消費性電子產品使用的晶圓資源，其實遠比表面數字來得吃緊。
具體來看，三星預計在 2026 年出貨約 120 億 Gb 的 HBM，並在 2027 年一口氣拉高到 200 億 Gb；SK 海力士這邊同樣不遑多讓，2026 年 HBM 出貨量預估為 180 億 Gb，2027 年則將進一步衝上 240 億 Gb。由於 AI 伺服器與高效能運算需求持續強勁，兩大廠都在積極擴大 HBM 產能，但這也直接壓縮了一般 DRAM 的生產資源，形成產業內部資源排擠的連鎖效應。
正因為 HBM 搶走大量晶圓產能，預估在 2027 年到 2028 年這段期間，非 HBM 的一般 DRAM 位元成長率將被壓縮在年增 15% 左右，但同一時期市場對這類記憶體的需求成長幅度，卻預估將達到 22%。
供給追不上需求的落差擺在眼前，這也是為什麼產業界普遍預期，記憶體價格在可預見的未來仍將維持在高檔，消費者想等降價入手的時間點，恐怕還要再往後延。
而面對供應吃緊的窘境，兩大記憶體龍頭也算是沒有閒著，持續加碼擴建新廠以求紓困。三星的 P5 Fab 1 廠預計將在 2027 年 7 月正式投產，而 P5 Fab 2 以及位於龍仁的另一座新廠，則要等到 2029 年才會陸續啟用。
SK 海力士這邊的腳步也不慢，位於龍仁的 Y1 廠預計 2027 年 2 月就能投入生產，Y2 廠則規劃在 2028 年下半年跟進量產。不過從時程來看，這些新產能真正大規模貢獻供給，恐怕都還要等上一到三年，短期內難以立即緩解市場壓力。
值得一提的是，中國記憶體大廠 CXMT 傳出正規劃轉進 DDR6 技術，若真能順利量產，理論上有機會成為紓解全球記憶體供給壓力的一股外部力量。不過目前 CXMT 的實際生產時程仍不明朗，再加上其產品能否順利銷往中國以外的市場，同樣存在高度不確定性。因此就現階段而言，CXMT 這張牌能否真正發揮作用，業界普遍抱持觀望態度，尚不能視為解決供需失衡的確定解方。
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