Intel 財務長 David Zinsner 於法說會上透露，Intel 14A 製程的良率改善速度是 2012 年 22 奈米節點以來最快的一次，內部團隊已著手設計 14A 產品，外部客戶詢問度也明顯升溫，然而量產時程仍延至 2028 年。
CFO 證實 Intel 14A 製程改善速度直追 22 奈米
科技產業這幾年最愛講的關鍵字，大概就是「Intel 能不能翻身」。這一次，答案似乎有了一點眉目。Intel 財務長 David Zinsner 在 2026 年 8 月 26 日出席德意志銀行 (Deutsche Bank) 2026 科技論壇時，拋出一句相當有份量的話：Intel 14A 製程技術的瑕疵密度 (defect density) 改善速度，是自 2012 年推出 22 奈米節點以來最快的一次。
對半導體工程師來說，瑕疵密度指的是每平方公分晶圓上的缺陷或汙染數量，數字越低，代表製程越成熟、良率越高。而 22 奈米節點在 Intel 的歷史上地位特殊，因為它是全球第一個導入 FinFET 電晶體技術的商用製程，堪稱該公司近十幾年來最成功的節點之一。Zinsner 拿 14A 跟這個「傳說等級」的節點相比的用意很明顯：他想告訴市場，這次的製程開發不是空話。
不過，比起「瑕疵密度改善多快」這種偏技術面的說法，Zinsner 這次會上另一段發言可能更值得玩味。他透露，Intel 內部產品團隊已經開始針對 14A 製程進行實際設計。要知道，內部客戶向來是公司裡最挑剔、最現實的一群人，如果連他們都願意把產品押在 14A 上，某種程度上等於替這條產線的信心背書。
不只如此，外部代工客戶的互動也明顯升溫。根據會後流出的會議紀錄，執行長陳立武與團隊目前幾乎每週都會與潛在客戶開會，客戶詢問的內容也從「技術資料好不好看」，逐漸轉變成「產能到底能分配多少給我」。對長年苦於代工業務缺乏外部訂單的 Intel Foundry 來說，這種轉變意義重大，畢竟公司先前也曾在財報中坦言，如果找不到足夠的外部客戶，14A 以後的先進製程恐怕連經濟規模都撐不起來。
儘管進度聽起來樂觀，Intel 今年 7 月已經確認過的時間表並沒有改變：14A 製程預計在 2027 年下半年進入風險試產 (risk production)，並於 2028 年進入大量生產。換句話說，這是一場還要再等上一年多才會揭曉成績單的長期賽局。
值得一提的是，Zinsner 這番談話距離他上一次公開評論 14A 進度，其實已經時隔近一年。早在 2025 年，他就曾表示「若以同一個成熟度階段比較，14A 的效能與良率表現其實優於 18A」。如今一年過去，這條路線圖看起來確實維持在他當初設定的節奏上。
在主力節點 14A 之外，Intel 同步也在開發代號 14A2 的第二代衍生製程。與 14A 最大的不同在於，14A2 會把最底層金屬導線間距 (M0 pitch) 從 14A 的約 28 奈米，進一步壓縮到約 21 奈米，藉此換取更高的電晶體密度、也讓高數值孔徑 (High-NA) EUV 微影設備的投資效益更划算。但這樣的微縮也帶來新麻煩：導線越細，電阻越高，原本 14A 已經導入、把供電線路移到晶片背面的「背面供電」(backside power delivery，Intel 稱之為 PowerDirect) 技術，在 14A2 上恐怕會因為背面貫穿矽晶穿孔 (TSV) 電阻升高而出現電壓下降的問題。為了解決這個困擾，Intel 傳出將在 14A2 改採「正反雙面供電」架構，同時從晶片正面與背面分攤供電負擔，藉此壓低電壓損耗、維持運作穩定。
拉高一層來看，14A 與 14A2 之所以牽動這麼多目光，是因為這兩條產線直接關係到 Intel Foundry 能否在全球晶圓代工市場，真正對上台積電這個長年霸主。無論是先前的執行長 Pat Gelsinger，或是現任的陳立武，都把「製程技術追上並超越台積電」列為公司翻身的關鍵戰略。也因此，Intel 今年不惜加碼資本支出因應，2026 年資本支出已從原訂的 180 億美元上修至 200 億美元，資金部分來自先前一輪 230 億美元的增資。這筆錢除了投入 14A 與 18A 產線擴充，也包含先進封裝技術 EMIB-T 的產能建置，以及愛爾蘭、亞利桑那、奧勒岡與俄亥俄等地廠房的擴建計畫，目的都是為了因應資料中心與 AI 晶片需求的成長。這場 14A 之戰的意義已經超越單一製程節點的技術指標，而是攸關 Intel 能不能在這一局重新拿回談判籌碼。
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