中國記憶體大廠 CXMT 宣布停產 DDR4，轉向 DDR5 與 HBM3 研發生產，預計 2025 年底月產能達 28 萬片晶圓，劍指全球 15% DRAM 市佔，搶攻 AI 與先進運算市場。
CXMT 加入 DDR5 與 HBM3 戰場
在中國半導體自主化戰略推動下，記憶體製造龍頭 CXMT (長鑫存儲) 宣布將全面退出 DDR4 生產線，改為開發與量產新一代 DDR5 與 HBM3 高頻寬記憶體，預計將在 2025 年底實現每月高達 28 萬片晶圓投片能力，意圖切入全球 DRAM 供應鏈的主流市場。
此轉型被視為中國在面對美國出口技術限制下的關鍵應對策略之一。據報導，CXMT 已在 2025 年第一季停止 DDR4 生產，並將於該季結束前正式宣告 DDR4 產品「技術生命週期終止」(EOL)，使其資源能集中投入 DDR5 模組與 HBM 產品的研發。
儘管產能規模驚人，但 CXMT 的 DDR5 技術目前仍處於相對早期階段。根據報導指出，其樣品於 2025 年第一季進行的測試中，未能通過某中國國產記憶體模組廠的整合資格測試，導致對方轉向採購南韓產品替代。主要問題出在高溫下穩定性不足與良率不佳，對消費市場構成不小障礙。
不過，CXMT 預期將在 2025 年底前克服這些技術瓶頸，若研發如期完成，將大幅提升中國本土 DDR5 記憶體的自給率。
另外，CXMT 也正投入研發新一代 HBM 技術，推測為 HBM3 等級產品。目前該公司已具備 HBM2 水準的製造能力，若能如願量產 HBM3，將對中國 AI 加速器產業鏈帶來極大助力。尤其是像華為這樣的業者，若能穩定取得 HBM3 本土供應，將顯著削弱對美系供應商的依賴。
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