Micron 推出 12-High HBM3E 及 LPDDR5X SoCAMM 記憶體

Micron 12-High HBM3E 記憶體提升至 36GB 容量，支援 NVIDIA 最新發表的 Blackwell GPU，另外也推出 LPDDR5X SoCAMM，提升 HPC 記憶體效能與能效，為 AI 運算提供更強大支援。

Micron HBM3E 容量提升 50%

Micron 宣布推出 12 層堆疊 12-High HBM3E 記憶體，以及基於 LPDDR5X 的 SoCAMM，並與 NVIDIA 合作，為 HGX B300 NVL16 與 GB300 NVL72 等高效能 AI 晶片提供強大支援。

與 8 層 HBM3E (24GB) 相比，12 層 HBM3E 記憶體將容量提升至 36GB，總記憶體容量增加 50%，功耗也降低 20%，進一步提升 AI 計算效率。兩相結合下得以讓 NVIDIA Blackwell Ultra GPU 運行更大規模的 AI 模型，例如 Meta Llama 405B 甚至可在單 GPU 上運行，大幅提高深度學習與推理運算的效率。

此外，Micron 的 SoCAMM 記憶體模組尺寸僅 14 x 90 mm，比傳統 RDIMM 佔用空間少 1/3，並透過 16 層 LPDDR5X 記憶體堆疊，提供高達 128GB 的容量，同時具備 2.5 倍於傳統 RDIMM 的頻寬，是高效能運算 (HPC) 的理想解決方案。

目前，Micron 的產品組合包括 GDDR7、HBM3E、DDR5 RDIMM / MRDIMM，以及 9550 NVMe SSD 儲存解決方案，並與 NVIDIA、SK Hynix、Samsung 等競爭對手共同推動高效能 AI 記憶體技術的發展。

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