Samsung 正式開始量產以 14nm EUV 工藝節點製造的 DDR5 記憶體，目標客群針對 HPC 和 AI 伺服器器，預計將提供兩倍 DDR4 記憶體的性能。
Samsung 已開始採用 14nm EUV 節點量產 DDR5 記憶體
據國外媒體 Wccftech 報導，Samsung 新的工藝節點將幫助他們的 14nm DDR5 記憶體達到前所未有的整體速度提升，目前 14 奈米 EUV 工藝將速度提升至 7.2 Gbps，是 DDR4 (3.2 Gbps) 速度的兩倍多。三星也將把記憶體產品線擴展到資料中心、超級電腦和企業伺服器，代表這些產品的記憶體將會從 512 GB – 1 TB 容量提高到 768 GB 和 1.5 TB。
三星電子同時宣布已開始量產業界最小的基於極紫外光 (EUV) 技術的 14 奈米 (nm) DRAM，這是他們繼去年 3 月出貨業界首款 EUV DRAM 後，將 EUV 層數增加到 5 層，為其 DDR5 解決方案提供目前最好、最先進的 DRAM 工藝。
隨著 DRAM 繼續縮小到 10 奈米範圍，EUV 技術提升對於提高性能與產量變得越來越重要，通過在 14 奈米 DRAM 中應用五層 EUV ，三星實現了高密度，並將整體晶圓生產率提高了約 20%，與上一代 DRAM 節點相比，14nm 工藝有助於降低接近 20% 的功耗。
