Intel Foundry 本週於 SPIE 光罩技術暨極束外光微影研討會 (SPIE Photomask Technology + Extreme Ultraviolet Lithography) 上，與 ASML 一同分享將高數值孔徑極紫外光 (High NA EUV) 微影技術持續導入生產，以及未來將擴大應用的最新技術進展。
Intel Foundry 和 ASML 分享最新進展
具體進展：
- High NA 已應用於英特爾晶圓代工的高量產製造：從早期設備的認證與測試、研發，到代號為 Panther Lake 的 Intel Core Ultra 系列 3 處理器部分特定層的量產，迄今累計超過 100 萬片晶圓採用相關製程；其疊對精度 (overlay)、產能 (throughput) 及設備可用率 (availability) 均達到英特爾晶圓代工的預期。
- 採用 Intel 18A 製程生產、並於特定層使用 High NA 的產品，其表現持續達到甚至超越採用 NXE 平台 (數值孔徑 0.33 的 EUV) 製作的對應層。
- 客戶可透過業界現行的光罩規格，實現 High NA 帶來的效益：無論是 6 吋光罩範圍內進行平面規劃 (floor-planning)，或採用英特爾晶圓代工的拼接技術與製程設計套件 (PDK) 解決方案。
- 三年多來，英特爾晶圓代工積極倡議大尺寸光罩規格，推動光罩生態系偕同發展：英特爾晶圓代工與 ASML、光罩製造商、自動化設備供應商、電子設計自動化 (EDA) 合作夥伴、材料供應商及半導體製造商密切合作，共同推進未來 High NA 規模化發展所需的標準、基礎設施與技術。
英特爾執行副總裁暨英特爾晶圓代工共同總經理 Naga Chandrasekaran 表示：「面對日益複雜的 AI 產品，企業需要已具備量產條件、且易於使用的製造創新技術。在微影技術方面，英特爾晶圓代工近期專注於支援客戶在 6 吋光罩上採用 High NA EUV，無論是否採用拼接技術，同時推動至 6 × 12 吋光罩轉型。英特爾將持續與 ASML 及整個產業緊密合作，共同推動這項轉型。」
英特爾晶圓代工與 ASML 將在雙方多年合作的基礎上，進一步凝聚微影生態系統，共同推動更大尺寸光罩規格發展，並促進未來擴展 High NA EUV 應用所需的標準、基礎設施與技術進步。透過與光罩製造商、自動化設備供應商、EDA 合作夥伴、材料供應商及半導體製造商的共同合作，雙方協助確立產業採用大尺寸光罩的發展方向，同時讓客戶現階段即可獲得 High NA EUV 帶來的效益。
SPIE 光罩技術暨極紫外光微影技術研討會發表資訊
本週於 SPIE 光罩技術暨極紫外光微影技術研討會上，英特爾晶圓代工與 ASML 將分享關於光罩拼接 (reticle stitching) 技術的最新進展，這項技術可讓設計人員沿用目前標準的 6 吋光罩，實現 High NA EUV 應用。
ASML 的 Jan van Schoot 將於太平洋時間 2026/09/08 (星期二) 上午 11:00 發表主題為「支援半視場拼接的掃描器與光罩需求」(Scanner and mask requirements to support half field stitching) 的演說；隨後，英特爾晶圓代工的 Kimberly Pierce 將於同場次上午 11:20 發表主題為「High-NA EUV：量產應用的拼接技術」(High-NA EUV : stitching for manufacturing) 的演說。
