Intel Foundry 公開最新 Intel 18A-P 製程發展與創新藍圖

Intel Foundry 於 2026/06/17 的 VLSI 研討會上，公布晶圓代工製程藍圖的最新進展，其中 Intel 18A 家族的首款效能強化版本 Intel 18A-P 已正式進入風險量產 (Risk Production) 階段。

Intel Foundry 揭示 Intel 18A 製程進度

Intel 18A-P：效能與功耗的最佳化平衡

Intel 18A-P 在維持與 Intel 18A 設計完全相容的基礎上，沿用既有 IP 與設計流程，能協助客戶加速產品開發。相較於 Intel 18A，其效能表現與設計彈性皆有顯著提升：

• 效能與功耗：在相同功耗下，效能最高提升達 9%；或在相同效能下，功耗最高可降低 18%。
• Power Boost 技術：採用全新雙接點 (dual contact) 及低電阻電晶體設計，提升驅動電流，增加運作頻率。
• 散熱最佳化：透過材料與設計創新，提升 20%~40% 的散熱效能。
• 訊號傳輸：將晶片層間垂直互連通孔 (Via) 電阻降低 10%~30%，提升傳輸效率。
• 靈活性：新增第五組邏輯臨界電壓 (Vt)，使設計人員在速度與功耗的最佳化上有更多平衡空間。

核心技術：GAA 電晶體與背面供電

英特爾去年率先於 Intel 18A 導入環繞式閘極 (GAA) 電晶體與背面供電技術，本次研討會進一步量化了其技術優勢：

• 佈線空間：較傳統正面供電架構減少 11% 佈線面積。
• 穩定性：動態電壓驟降減少 10 倍，實現最高 6% 的頻率提升，或降低超過 15% 的動態功耗。
• 實測成果：在約 0.5V 的低電壓環境下，CPU 核心運作頻率提升 30%，並顯著降低供電電壓損失 (IR Drop)。

未來創新研發路徑

英特爾亦展示了多項長期的製程微縮技術：

互補式場效電晶體 (CFET)：透過 NMOS 與 PMOS 元件垂直堆疊，為 GAA 之後的邏輯製程微縮指引方向。

氮化鎵 (GaN) 與矽 (Si) 整合：於 300 毫米晶圓上整合功率元件與大規模數位控制電路，有效降低系統複雜度。

減材釕 (Subtractive ruthenium) 互連：結合氣隙 (Air Gap) 技術，較傳統銅互連降低最高 35% 的電容，為未來互連微縮提供新路徑。

英特爾表示，儘管半導體微縮挑戰艱鉅，但公司仍持續投入先進製程創新，上述技術進展將為未來的邏輯晶片奠定高效能與高能源效率的基礎。