中國記憶體龍頭長鑫存儲產能大轉向，豪擲 20% 產線強攻 HBM3

中國 DRAM 龍頭長鑫存儲傳出為追趕 AI 浪潮並實現半導體自主，計劃將高達 20% 的 DRAM 產能轉向 HBM3 生產。此舉不僅可能縮小與三星、SK 海力士的技術差距，更可能衝擊未來消費型記憶體的供給與價。

長鑫存儲 HBM3 進入規模化量產階段

在全球 AI 運算需求爆炸的背景下，高效能的高頻寬記憶體 (HBM) 已成為兵家必爭之地。根據韓國媒體的最早披露，中國最大的記憶體製造商長鑫存儲 (CXMT) 正準備進行一場前所未有的產能大搬風。消息指出，CXMT 打算將其總產能 30 萬片晶圓中的 20% (約 6 萬片) 全數投入到 HBM3 的研發與生產線中。雖然韓國三大巨頭如三星、SK 海力士與美光在 HBM 市場早已佔據主導地位，但 CXMT 的切入，顯示出中國本土供應鏈正試圖突破高階 AI 晶片的鎖喉困局，為華為等本土 AI 晶片業者提供戰略支援。

回顧 2023 年，當 SK 海力士與三星正歡慶 HBM3 進入全面量產時，中國在該領域還處於摸索階段，當時的技術差距預估至少有 4 年之遙。然而，根據最新的行業報告，CXMT 的技術演進速度遠超預期。目前市場分析認為，中國與全球頂尖業者的技術鴻溝或許已經縮小至 3 年左右。

雖然 CXMT 在生產製程上因為缺乏 EUV 極紫外光曝光機的支援，必須透過多重曝光 (Multi-patterning) 等更複雜的替代方案來達成目標，這可能會影響到初期的良率與生產成本。但對於正處於 AI 禁令下的中國市場來說，能不能做出來遠比良率高不高更具戰略意義。這種不計成本的投入，正是為了確保華為 Ascend 系列等 AI 加速器能擁有最關鍵的數據傳輸動力。

而對於一般 PC 玩家或組裝迷來說，當長鑫存儲決定將 20% 的產能鎖死在 HBM3 生產線上時，原本可以用來生產常規 DDR4 或 DDR5 記憶體晶圓的空間被大幅壓縮。

過去幾年，長鑫存儲的崛起曾被視為記憶體價格救星，市場期待透過中國廠商的產量釋放來壓低 DDR5 等消費級產品的價格。但隨著全球記憶體業者集體轉向更高利潤的 AI 伺服器市場，加上 CXMT 這次的大動作轉向，原本期待的便宜記憶體潮可能要落空了。目前包括 ASUS、Acer 與 Dell 等都在評估採用 CXMT 的記憶體產品，一旦供給端出現缺口，未來的 RAM 價格恐怕只會更加堅挺。

這次的產能轉移並非 CXMT 的單打獨鬥。據傳 CXMT 已與中國 NAND 快閃記憶體領導者長江存儲 (YMTC) 以及華為展開深度技術合作，目標是透過混合鍵合 (Hybrid Bonding) 等先進封裝技術，提升 HBM 方案的整體效能。這場記憶體戰爭的下半場，或許才剛剛開始。

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