YOUTUBE 頻道 TheOverclocker 之前訪問 INTEL 性能調校和超頻工程師 DAN RAGLAND，大談 INTEL DDR5 發展特別是 ARROW LAKE-S 記憶體控制器 IMC 的特性。影片分為上下兩部份 (來源一、來源二)，內容非常豐富，極為深入，非常值得一看。本文筆者挑選其中一些自己比較感興趣的內容跟大家分享。
ARROW LAKE-S 記憶體超頻能力提升
INTEL 頒下聖旨：2026 前出現 DDR5-13000！
訪談一開始的時候 INTEL 工程師 DAN 就有提到 INTEL 很重視記憶體相關的能效表現，指出降低功耗和電壓同樣是 INTEL 的發展方向。其後 INTEL 提到 SAGV 這個東西，SYSTEM AGENT GEYSERVILLE 功能讓記憶體在電腦運行期間切換記憶體運作設定。目前是頻率調整，往後也會加入電壓調整，INTEL 原意是節能。
INTEL 也指出 SAGV 這東西有開放給板廠自己玩，所以你也許會看到有廠商利用溫度作為目標去切記憶體 PROFILE。TheOverclocker 此時也在畫面切出 ASUS DIMM FLEX 的畫面。這或可引證華碩的 DIMM FLEX 背後跟 INTEL SAGV 有關。INTEL 欣賞有板廠把 SAGV 改為＂節溫＂功能，想法創新。
然後 TheOverclocker 直接問 INTEL 怎麼看板廠們 BIOS 的 IMC 評分，例如華碩的 MC SP。INTEL 笑指板廠們如華碩自行評估 IMC 體質，很聰明。筆者沒想到的是 INTEL 接下來自行爆料，指出在以往的 I9 I5，I9 往往會更容易衝擊記憶體高頻，可是最新一代的 ARROW LAKE-S，U5、U7、U9 在 IMC 體質上比較平均。這可看為 INTEL 公開承認現在的 IMC 體質的 DISTRIBUTION 有拉緊，以 BELL CURVE 來說最新一代的設計有變窄。工程師 DAN 也指出，由於 CORE ULTRA 200S 不再支援 DDR4，INTEL 架構工程師可將精力集中在設計和調整 DDR5，不須同時顧及 DDR4。所以 800 系平台的 DDR5 上限比以往更高，8000 MT/s 現在變得非常輕鬆簡單。
筆者記憶中，關於 DDR5-8000，INTEL 在 14 代發佈的時候就有在講。不過現實中據使用者回報，還真沒那麼容易。可是到了 CORE ULTRA 200S 平台，8000 MT/s 好像真的變得很容易了，哪怕是入門的四槽板子上都能做到穩定運行。
接着 TheOverclocker 問道 INTEL 怎麼看 GEAR 4 這模式。INTEL 回應指出在末來 GEAR 4 帶來的頻率優勢很可能會壓過其延遲懲罰，意味末來將是 GEAR 4 的天下。不過對於遊戲玩家來說，GEAR 2 目前仍然非常強勢。關於 24GB 記憶體 (3GB 顆粒)，INTEL 也有發現這種顆粒平均來說頻率上限好像更誇張。除了 INTEL IMC 能跟得上，INTEL 也歸功於顆粒製造廠商本身同樣非常厲害。
在 PART 2 的影片中，TheOverclocker 側重於日常使用場景，提問穩定性和安全性的問題。第一個問題就是，記憶體 24/7 1.5V 你怎麼看，安全嗎。INTEL 回應指出我們一直有在驗證這些設定，希望給予使用者一些方向和指引。DDR5 相關的電壓除了 PMIC 那幾個 (VDD / VDDQ / VDDP)，還有在主機板上進 CPU 的 VDD2，用以打進 IMC。關於 VDD2，INTEL 在文件中給出的名義值 (NOMINAL) 是 1.1V，這是 INTEL IN SPEC 的電壓值。INTEL 認為只要你增加這個電壓，總有風險。可是 VDD2 1.4V，工程師 DAN 認為風險極低。INTEL 強調，電壓不是越高越好，風險也會隨之增加。低電壓高頻率的記憶體往往代表更好的體質，INTEL 認為抓 1.4V 是一個平衡性能和長期穩定使用及硬體壽命的合理電壓值。
這邊值得注意的是，在 INTEL 文件中，VDD2 的上限是 +4.5%，所以是 1.10 * 1.045 = 1.1495V。而我們常見的 1.4V 甚至 1.5V (9000G2)，是遠超那個 1.15V 不到的 INTEL IN SPEC 規格。而影片中提到的 VDD2 1.4V，也是後來 INTEL IPO 和 INTEL 200S BOOST 指定的電壓上限。這是說 INTEL 真的有在研究和驗證全新架構的特性，嘗試在不影響長期壽命的情況下，給予使用者一些超頻指引來增強性能。訪談進行的時候，應該是 3 月，當時 INTEL 還沒推出 200S BOOST 計劃。
關於 CUDIMM，INTEL 看好 CUDIMM 的發展，確認 CKD 對於記憶體的訊號有很大的幫忙。工程師 DAN 也提到對於超頻玩家來說，CKD / CDDIMM 則沒那麼重要。他指出不少超頻玩家甚至把 CKD 設定為 BYPASS 模式，變相關閉 CKD 功能。這是由於 CKD 自身也有支援的頻率上限，所以對於超頻玩家來說，在挑選 CPU IMC 體質、主機板體質、記憶體顆粒體質後，還要再挑 CKD 體質。INTEL 認為在末來 CKD 的頻率上限會再擴展，目前最頂的 CKD 大多止步於 9600 MT/s。
筆者也觀察到各板廠 Z890 的 QVL，最頂的記憶體型號其速度大概是 9400 ~ 9600。這符合 INTEL 的解釋，CKD 是目前的瓶頸。所以這可看為 INTEL 也確認目前 CUDIMM 不怎麼有用 / 好用，尤其在頂級的 2DIMMER 板子上。但當 CKD 發展下去解鎖更高的支援頻率上限時，CUDIMM 便可大展拳腳。簡單來說，是 CKD 的體質 (支援頻率) 確定 CUDIMM 記憶體的 XMP 頻率，不是記憶體顆粒。INTEL 對於 CUDIMM 的發展非常樂觀，也認為距離日常人均 DDR5-10000 還有一段路要走。
提到 IMC 能力，INTEL 對於自家最新一代的設計非常有信心。工程師 DAN 主動提及目前的 DDR 世界記錄 (2025/3)，DDR-12762 便是在 INTEL 平台實現。INTEL 對此非常有信心，直言一年內就會出現 DDR5-13000，證明 ARROW LAKE-S IMC 的能力已遠超 DDR 的現有限制。
影片中段工程師 DAN 回應一個古老的問題，那就是超頻有什麼用。INTEL 指出今天的超頻頻率，就是明天的日常運行頻率。筆者認為他也沒在亂講，DDR5 首次登場時，首發階段板廠展示的限極頻率是 DDR-7000。不少人超不到的 Z790 DDR5-8000，在 Z890 非常輕鬆。所以超頻本身引領後續發展，前人種樹的意。
影片後段 TheOverclocker 也不客氣了，直接問 ARROW LAKE-S 的出廠 NGU D2D 為何那麼低，明明手動拉高 NGU D2D 甚至不需要調整電壓。工程師 DAN 回道這問題非常 INSIGHTFUL，真有見地，你問對了。然後他解釋 D2D NGU 是全新加入的超頻選項，對於 INTEL 來說也是全新的領域，提高 D2D NGU 頻率可增強性能和降低延遲。工程師 DAN 甚至提到，你將會看到下一代的處理器在 D2D 和 NGU 的出廠設定上變得更進取。他強調，NGU D2D 和記憶體頻率，是一個整體的考量，重點在於 NGU D2D 不會拖後腿。對於 INTEL POR DDR5，D2D 和 NGU 的出廠頻率已很夠用。但是一但改用高頻率的 DDR5，預設的 D2D 和 NGU 頻率就會帶來影響，也解釋為什麼把 D2D 和 NGU 拉高會拉來如此可觀的收益。KEEP THINGS PROPORTIONAL 是工程師 DAN 的建議，這是說三者之間的比例必須要整體來看。例如 DDR5 8000，3.2G 的 D2D NGU 基本就足夠了。他提到，避免瓶頸才是最重要，也笑言在超頻的世界裡當然沒有絕對，天天吵架很常見。
最後，INTEL 指出末來的架構也會基於這種多 TIEL 設計，意味 GEAR 2、GEAR 4、D2D、NGU 等東西會繼續存在。所以超頻玩家應該盡早熟習這些新的 INTERFACE。INTEL 不會讓你失望，末來會有很多新東西出現，包括記憶體的變化。他舉例說 12 代 Z690 DDR5 的水平，甚至低於 CORE UTLRA 200S 的 POR，最新 SWEET POT 已是 8000 MT/s。DDR 發展一日千里，INTEL 下代架構嚇死你，選 INTEL 快點來超頻！
整場訪問非常流暢，兩位友善交鋒非常好看。請注意這是一場舉行在三月的訪談，而筆者介紹的時候又更晚了，筆者的 D2D NGU 有夠低。可是反過來看，原來 INTEL 在 3 月的時候，就已決定 VDD2 1.4V、NGU D2D 3.2G 這些東西；也有提到已經過大量驗證，是相對安全。後來的 200S BOOST 證明 INTEL 真的有意推廣超頻和提升處理器性能。ARROW LAKE-S 只是 INTEL 末來架構的開端，筆者也很期待 NOVA LAKE-S，難怪工程師 DAN 不斷提到 DDR5-8000 哈哈哈。
