英特爾晶圓代工 (Intel Foundry) 宣布國防工業基礎 (Defense Industrial Base，簡稱 DIB) 客戶 Trusted Semiconductor Solutions 和 Reliable MicroSystems，成為「快速保證微電子原型-商業計畫」(Rapid Assured Microelectronics Prototypes-Commercial，簡稱 RAMP-C) 第三階段成員。該計畫隸屬於美國國防部研究與工程副部長辦公室 (Office of the Under Secretary of Defense for Research and Engineering，OUSD R&E) 的 Trusted & Assured Microelectronics (T&AM) 計畫。RAMP-C 計畫經 S²MARTS OTA (Strategic & Spectrum Missions Advanced Resilient Trusted Systems Other Transaction Authority) 授予，使 DIB 客戶能夠利用英特爾晶圓代工領先的 Intel 18A 製程和先進封裝技術，為美國國防部提供商業和 DIB 產品的原型開發與量產。
英特爾晶圓代工迎來新客戶
英特爾晶圓代工副總裁暨航太、國防與政府業務事業群總經理 Kapil Wadhera 表示：「非常歡迎 Trusted Semiconductor Solutions 和 Reliable MicroSystems 加入英特爾與美國國防部合作的 RAMP-C 計畫。這次合作將推動領先、安全的半導體解決方案，對於國家安全、經濟成長和技術領導地位至關重要。英特爾對英特爾晶圓代工在支持美國國防方面扮演關鍵角色感到自豪，期待與最新加入的 DIB 客戶密切合作，利用領先的 Intel 18A 技術實現他們的創新。」
美國國防部研究與工程副部長辦公室 T&AM 計畫經理 Catherine Cotell 博士表示：「RAMP-C 計畫持續推動先進微電子技術的發展，以提供美國國防部和商業應用，並支援美國領先的半導體設計和製造，以加強國家安全。」
在 RAMP-C 計畫中，英特爾晶圓代工協助戰略客戶、智慧財產權 (IP)、電子設計自動化 (EDA) 和設計服務供應商，縮短英特爾晶圓代工領先技術的設計時間。
英特爾晶圓代工及其生態系提供即可使用解決方案，為DIB客戶提供最新製程技術和先進封裝能力，協助設計、測試和製造先進晶片。
協助DIB客戶提前取得先進半導體技術是滿足國防工業對關鍵尺寸、重量和功率需求的重點。Intel 18A 是英特爾自 2011 年將鰭式場效電晶體 (FinFET) 導入量產以來最重要的電晶體創新，整合了英特爾全新 PowerVia 背部供電技術和 RibbonFET 環繞式閘極 (GAA )技術，顯著改善每瓦效能和密度。
此外，DIB 客戶還能利用英特爾晶圓代工的先進封裝技術，如嵌入式多晶片互連橋接 (Embedded Multi-die Interconnect Bridge，EMIB)，為異質晶片提供高互連密度，以滿足當今複雜的運算需求。
RAMP-C 計畫自 2021 年 10 月啟動至今成果卓越，英特爾晶圓代工在三個階段皆發揮了關鍵作用。
- 奠定基礎：領導技術開發、創建 IP 和生態系，並為客戶測試晶片流片做好準備。
- 擴大與增加：透過加入波音公司和諾斯洛普格魯曼等 DIB 首批主要客戶，以擴大客戶群。英特爾晶圓代工持續提升 IP 和生態系解決方案，使新客戶能夠以 Intel 18A 製程技術為基礎進行設計、開發和流片。
- 先進原型設計和製造：2024 年 4 月獲得該計劃獎項後，英特爾晶圓代工推動了早期 DIB 產品原型的流片和測試。此階段凸顯了 Intel 18A 技術已做好量產的準備，也為廣泛測試晶片和多個商業與 DIB 產品原型流片揭開序幕。
