三星電子計劃通過使用新的「Hafnia Ferroelectrics」材料，以實現 1000 層以上的 NAND 技術，並達到「petabyte」儲存目標。這些新興材料在特定條件下表現出鐵電性，有望用於開發更小、更高效的電容器和記憶體設備。
三星考慮以 Hafnia Ferroelectrics 材料實現高層數 NAND
三星想達到「petabyte」儲存目標的計劃一度看似不切實際，但該公司正考慮使用新的「Hafnia Ferroelectrics」材料，有可能通過 1000 層以上的 NAND 技術實現這一目標。
最近，三星在 NAND 市場未來的計劃，包括推出第九代 V-NAND，將採用 290 層堆疊樹立新的市場基準。有趣的是，這家韓國巨頭還宣布了一款採用 430 層堆疊 (第十代 V-NAND) 的 NAND 產品，預計將於明年推出。憑藉這些設備，三星計劃盡快突破 1000 TB 的里程碑，但還有另一個令人興奮的亮點。
在檀香山舉行的 VLSI 技術研討會上，來自韓國科學技術院 (KAIST) 的研究人員，預計將展示他們對「Hafnia Ferroelectrics」材料的研究成果，它是一個在特定條件下能表現出鐵電性的材料，目前外界還沒有一個正式的翻譯名稱，普遍稱其為「鉿基薄膜鐵電」。近來，它們受到了巨大的關注，尤其在計算機行業，其鐵電性質可能有助於開發更小、更高效的電容器和記憶體設備。
值得注意的是，三星並未直接參與研發過程，但相關人士據說與這家韓國巨頭直接相關。雖然尚不確定此新興材質是否能直接導致 petabyte 儲存設備的誕生，但它們可能會發揮主導作用，最終引領業界達到這一里程碑。
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