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Intel 展示 PowerVia 晶片背部供電解決方案,將於 2024 上半年推出

實現超過 90% 的單元利用率與其它重大進展

Press Release by Press Release
2023-06-06
in 新聞稿
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Press Release

Intel 展示 PowerVia 晶片背部供電解決方案,將於 2024 上半年推出

英特爾 (Intel) 是首家在類產品的測試晶片上實作背部供電的公司,達成推動世界進入下個運算時代所需的效能。此回搶先業界公開晶片背部供電解決方案-PowerVia,將於 2024 上半年在 Intel 20A 製程節點推出。藉由將電源迴路移至晶圓的背面,解決因晶片面積微縮而日益嚴重的互連瓶頸問題。

Intel PowerVia 實現更高單元利用率

「PowerVia 是英特爾『4 年 5 個節點』策略以及邁向 2030 年達成單一封裝內含1兆個電晶體過程中的重要里程碑。使用試驗性的製程節點及隨後的測試晶片,讓英特爾降低背部供電對於領先製程節點的風險,並讓英特爾在晶片背部供電導入市場方面,領先競爭對手一個節點世代。」
-Ben Sell,英特爾技術開發副總裁

英特爾將 PowerVia 從電晶體的開發中分離出來,以確保實作於 Intel 20A 和 Intel 18A  製程節點晶片時已準備就緒。與 Intel 20A 的 RibbonFET 整合之前,PowerVia 已在其內部測試節點進行測試和除錯,確認該技術具備良好的功能性。製造該測試晶片並測試之後,PowerVia 已被證實能夠顯著且有效地利用晶片資源,單元利用率超過 90%,讓晶片設計人員能夠在產品中提升效能和效率。英特爾將於 6/11 至 6/16 在日本京都舉行的 VLSI 研討會上,使用兩篇論文介紹這些技術。

PowerVia 遙遙領先競爭對手的晶片背部供電解決方案,並為包含英特爾晶圓代工服務 (IFS) 客戶在內的晶片設計人員,在提升寶貴的能源與效能方面,提供一條更快速的途徑。英特爾在導入業界最關鍵創新技術有著悠遠的歷史,例如應變矽、Hi-K 金屬閘極和 FinFET,藉以持續推動摩爾定律發展。隨著 PowerVia 和RibbonFET 環繞式閘極 (gate-all-around) 技術將於 2024 年問世,英特爾持續在晶片設計和製程創新引領業界。

PowerVia 為晶片設計人員首次解決日益嚴重的互連瓶頸問題。隨著人工智慧和電腦圖形在內等領域的應用不斷增加,需要更小、更密集和更強大的電晶體來滿足不斷成長中的運算要求。過去數十年來直至今日,連接電晶體的電源線和訊號線架構總是在爭奪相同的資源。藉由分離這兩者,能夠提升晶片的效能和能源效率,為客戶提供更好的結果。背部供電對於電晶體微縮十分重要,讓晶片設計人員能夠在毋須犧牲資源的情況下提升電晶體密度,提供相較過往更高的功率和效率。

Intel 20A 和 Intel 18A 均會導入 PowerVia 背部供電技術和 RibbonFET 環繞式閘極技術。作為一款全新的電晶體電源傳輸方式,背部供電實作也向散熱和除錯設計提出新的挑戰。

藉由將 PowerVia 的開發與 RibbonFET 脫鉤,英特爾可以迅速地解決這些挑戰,確保在 Intel 20A 和 18A 製程節點晶片實作時已做好萬全的準備。英特爾工程師開發出避免散熱問題的緩和技術,除錯小組也發展出新技術,確保新款設計結構能夠被正確除錯。實作測試的結果顯示出穩定的良率和可靠性指標,於整合 RibbonFET 架構之前就展現出該技術優秀的內在價值。

該測試還利用 EUV (極紫外光) 微影的設計規則,其結果包含在晶片大面積上達成超過90%的標準單元利用率,提升單元密度同時降低成本。本測試還顯示出平台電壓下降幅度改善超過 30% 以及 6% 的頻率優勢。英特爾也迎合邏輯單元微縮隨之而來的高功率密度,在 PowerVia 測試晶片達成所需散熱特性。

於 VLSI 舉行期間公開的第三篇論文,英特爾技術專家 Mauro Kobrinsky 將解釋英特爾對於部署更先進 PowerVia 方法的研究,例如在晶圓的正面或是背面同時實現訊號和電源傳輸。

領先業界提供客戶 PowerVia 並在未來持續創新,反映出英特爾長期以來身為首位將半導體創新帶往市場,並不斷創新的傳統。

Tags: Intel
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