SAMSUNG 最新發佈全球首款採用 12nm 製程生產的 16 Gb DDR5 顆粒，最高速率來到驚人的 7.2 Gbps，功耗比上代最多下降 23%。這應該是繼 SK HYNIX 和 MICRON 後，第三家 DRAM 顆粒製造商提供第二代 DDR5 顆粒。SAMSUNG 能否後來居上在 DDR5 上重現 DDR4 的輝煌時代？
SAMSUNG DDR5 K4RAH086VE-BCWM E DIE 顆粒發佈
SAMSUNG B DIE 在 DIY 超頻界相當有名，不過在 DDR5 上 SAMSUNG B DIE (4800MHz) 的超頻空間 / 高頻穩定性 / 溫度等等，平均來說要弱於對手 SK HYNIX 的 HYNIX M DIE。而 SK HYNIX 早已推出原生 5600MHz 的新一代顆粒 HYNIX A DIE ，據說 MICRON 亦已準備好第二代顆粒 (原生 5600MHz)，2022Q4 SAMSUNG 終於宣佈會在 2023 年量產新一代 DDR5 顆粒。
目前的 K4RAH086VB-BCQK 顆粒便是在 5600MHz ~ 6000MHz DDR5 中常見的顆粒版本，6VB 是為 B DIE。按社群回報，SAMSUNG DDR5 B DIE 的超頻上限大概在 7000MHz，不過超頻穩定性在 6600MHz 後大幅變差，而且溫度相對地高。SAMSUNG 表明新的 E DIE 將能夠降低最高 23% 功耗，相信有助解決目前在 B DIE 上遇到的困境。可惜筆者未能找到 SAMSUNG 關於 DDR5 顆粒命名的文件 (DDR5 PRODUCT GUIDE)，未能確認 BCWM 的 WM 是否代表 7200MHz。筆者相信 SAMSUNG 會在 DIY 市場中推出原生 5600MHz 的顆粒，7200MHz 好像有點太遠了，不見得目前的 CPU 和主機板都準備好支援驚人的 7200MHz。SAMSUNG 在新顆粒的新聞稿中 提到，首家通過產品驗證的平台竟是 AMD，AMD 7200MHz？？？
