為推進尖端半導體微影技術發展，ASML 和英特爾 (Intel) 公司在 19 日宣布，其長遠合作的最新階段發展。作為雙方公司長遠高數值孔徑合作案的框架內容，英特爾已向 ASML 下訂業界首台 TWINSCAN EXE:5200 系統的訂單；這是款具備 High-NA 的極紫外光 (EUV) 大量生產系統，每小時具備 200 片以上晶圓產能。
Intel 向 ASML 購買首台 TWINSCAN EXE:5200 系統，強化高數值孔徑生產
「英特爾的遠見和對 ASML High-NA EUV 的早期承諾，為其不斷追求摩爾定律的絕佳佐證。相較於目前的 EUV 系統，我們持續創新拓展 EUV 路線圖，進一步降低複雜性、成本、週期時間和所需能量，提供驅動晶片產業下個 10 年所需要的良好經濟規模延展性。」－Martin van den Brink，ASML 總裁暨技術長。
英特爾於去年 7 月 Accelarated 活動中宣布，其部署首款 High-NA 技術的計畫，藉以確立電晶體創新路線圖發展。英特爾早在 2018 年即是之前 TWINSCAN EXE:5000 系統的首位買家，透過新的訂購案，其合作關係將隨著英特爾於 2025 年開始以高數值孔徑 EUV 進行生產製造而延續下去。
「英特爾的重點就是保持半導體微影技術的領先地位，去年我們持續不斷地打造我們的 EUV 專業知識和能力。透過與 ASML 的密切合作，我們將汲取 High-NA EUV 的高階析度圖案化優勢，作為延續摩爾定律的其中一個方式，並將我們追尋電晶體微縮的優良傳統延續下去。」Ann Kelleher 博士，英特爾執行副總裁暨技術開發事業部總經理。
EXE 平台為 EUV 技術的演化步驟，其包含新穎的光學設計與大幅提升速度的光罩與晶圓階段。TWINSCAN EXE:5000 和 EXE:5200 系統與之前 EUV 機器所具備的 0.33 數值孔徑鏡片相比，提供精確度提升的 0.55 數值孔徑，為更小的電晶體特徵提供更高的解析度圖案化。系統所具備的數值孔徑結合其使用波長，決定了最小能夠印製的特徵尺寸。
EUV 0.55 NA 為 2025 年開始的多個未來節點所設計，同時也是業界首次部署該技術，隨之而來的將是具備相近密度的記憶體技術。在 2021 年的投資者關係日，ASML 分享其 EUV 路線圖規劃，並表示 High-NA 技術有望自 2025 開始支援生產製造。今日聲明與此路線圖規劃一致。
