ComputerBase 分享了 2021 年 Samsung Tech Day 的一些資訊，會中談及 DDR6、DDR6+ 跟 GDDR7，以及他們在記憶體技術方面的未來發展和創新。不過與會者與三星有過協議，不能將簡報內容流出，因此特別記錄了談話內容，相信這些研發情報還是能滿足玩家一部份的好奇心~
Sasmsung DDR6、DDR6+ 與 GDDR7 發展路線圖
DDR5 記憶體才在本月初跟著 Intel 第 12 代處理器解禁與開賣，貨量不但少，價格更是驚人。VideoCardZ 與 MSI 有著相同見解，認為要到 2023 年左右，價格才會達到多數消費者能接受的價位。雖然 DDR5 還沒普及，Samsung 卻已經著手準備研發 DDR6 記憶體了，據說 DDR6 能提供兩倍的速度和頻寬。
不過 JEDEC 還沒有正式公布 DDR6 標準 ，Samsung 也表示目前仍處於早期開發階段，但預估預設速度最高能達到 12800 MT/s，並且 ComputerBase 提到 DDR6 記憶體在超頻後，速度還能提高到 17000 MT/s。
DDR6 的特色是具有四個通道，Memory banks 提升到 64 個，是標準 DDR4 的四倍 (DDR5 的兩倍)。
Samsung 還透露了一些關於 GDDR6 標準的後續資訊，該公司可能正在開發 GDDR6+ 標準，提供高達 24 Gbps 的速度，比目前 GDDR6 標準提供的 18 Gbps 更快，GDDR6+ 將使用 Samsung 1z nm 製程製造。
除了改進 GDDR6，GDDR7 標準也在 Samsung 的路線圖上，GDDR7 主要將記憶體頻寬增加到 32 Gbps，並加入即時錯誤保護功能，不過 Samsung 沒有提供近一步的技術資料與路線圖時間。另外，Samsung 將會在 2022 年第二季開始大量生產 HBM3 (High-Bandwidth-Memory Gen3) 記憶體。
雖然上述記憶體技術距離實際應用到產品上並且公開販售仍需要一段時間，不過時代總會不斷向前進，科技也是，希望科技發展的同時也能兼顧平價，先講求不傷荷包，再求速度。
