KIOXIA 鎧俠 (前身為 TOSHIBA) 宣佈投入研發 HLC NAND Flash 顆粒，相比目前的 QLC NAND Flash 顆粒，其存儲密度將提升 50%，同時堆疊層數也會提升至 600~1000 層，雖然預估量產後 PE 壽命將不到 100 次，但由於存儲容量會相當大，這意味著使用一段時間後才會寫滿一次 SSD。
KIOXIA 宣佈進軍 HLC NAND Flash 研發，更大容量，更低 PE 次數
隨著 NAND Flash 的演進，現在 SLC、MLC 顆粒已基本上消失在家用 SSD 產品中，目前是由 TLC 與 QLC 為主流，並且開始向著 PLC 前進，所謂的 PLC 就是每 Cell 存儲 5 bits，要儲存更多的資料就需要更多的電壓層級。
舉例 QLC 是電壓層級有 16 個不同電壓狀態，PLC 則是 32 個，如果要提升至 HLC 則需要高達 64 個電壓層級，這對於 NAND Flash 控制器來說是極大的挑戰，因此 64 個不同電壓訊號需要非常準確不能出現干擾，否則資料就會出現錯誤。
雖然技術難度非常高，但 HLC 的存儲密度比 QLC 要高出 50%，對於廠商們來說是非常吸引，不僅每 GB 成本會進一步下降，同時而意味儲存容量會大幅提升。
HLC NAND Flash 的 PE 壽命將不到 100 次，但由於堆疊層數會大幅增加到 600 至 1000 層，HLC NAND Flash 存儲容量會相當大，意味著要使用一段時間，才會寫滿一次 SSD，能放入更多的 Cold Data。
