AMD 6/1 在 Computex 2021 大會上，由蘇媽展示了一顆改良過的 Ryzen 9 5900X CPU，聲稱加入了全新 3D V-Cache 垂直堆棧的方式，在原來的 CCD 晶片上再堆疊了 64MB SRAM，作為額外的 L3 Cache 使用。
3D V-Cache 技術為 AMD 未來的 CPU 帶來新的可能性
目前 Ryzen 9 5900X 12 核心處理器是由 2 顆 CCD 晶片與 1 顆 IOD 晶片組成，每顆 CCD 擁有 64MB SRAM 總共 128MB L3 Cache，不過 AMD 對 Ryzen 9 5900X CPU 作出改良，CCD 晶片中加入 3D V-Cache 技術，增加了 64MB SRAM 讓 L3 Cache 容量進一步增加到 192MB。
據了解，AMD 在 CCD 晶片與 SRAM 晶片之間使用了直連銅間結合與 TSB 矽與矽通道技術，實現了混合式 Cache 快取設計， 展示了這顆採用 3D V-Cache 的 CPU 原理，雖然 CCD 微架構與 Ryzen 9 5900X 一樣，但加入 3D V-Cache 後，遊戲性能平均提高 15%，蘇媽在會中表示使用 3D V-Cache 快取的 Ryzen CPU 將會在今年底上市。
