PHISON 群聯 26 日宣佈推出新版 PS5018-E18 PCIe Gen4 SSD 控制器，支援全新 176 層 3D TLC NAND Flash，並改善隨機讀取的延遲，在低隊列深度下實現了 35% 性能提升，能達到最高 7,400MB/s Read、7,000MB/s Write 的循序讀寫速度，新版的 PS5018-E18 控制器已開始供應給合作夥伴。
升級再加速，PHISON 群聯新版 PS5018-E18 PCIe Gen4 SSD 控制器
PHISON 先前已出貨 PS5018-E18 控制給 CORSAIR、GIGABYTE 等合作夥伴，但舊版本只支援最高 96 層 3D TLC NAND Flash (eg., Micron B26N)，而新版的 PS5018-E18 控制器，能支援 176 層 3D TLC NAND Flash 顆粒（eg., Micron B47R 顆粒），且改善了隨機讀取延遲，在低隊列深度下實現了 35% 的性能提升。
結合 E18 主控與 176 層 NAND Flash，官方宣稱可達成 7400 MB/s 的循序讀取和 7000 MB/s 的循序寫入速度。
176 層 3D TLC NAND 與上一代 96 層相比，176 層替換門架構 NAND 閃存結合了電荷陷阱與 CMOS 陣列下設計（CuA），在裸片尺寸縮小約 30% 的同時，還把讀寫性能提升 35%，PS5015-E18 PCIe 4.0 主控能夠充分發揮 NAND 製造商的 176 層 Flash，並創下1600 MT/s 的性能世界紀錄，預計採用新版 PS5018-E18 控制器與 176 層 3D TLC NAND Flash 的 SSD 產品會在 Q3 登場。
