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雖然 AMD Ryzen 處理器在核心數量上相對領先 Intel 的處理器,不過在高頻率記憶體相容性支援做得並不理想,要超記憶體時脈有一定的困難,相對來說 Intel 處理器在記憶體相容性做得比較好,這個亦是 Intel 其中的一大優勢。不過,看來 AMD 在全新 Ryzen 3000 系列處理器上解決了記憶體限制的問題。
如何提高記憶體相容性
根據外媒 Techpowerup 的消息,AMD 第三代 Ryzen(3000系列)處理器將克服舊款 Ryzen 面臨的記憶體限制,通過全新的 Zen 2 架構,將記憶體控制器與 CPU 核心分離為一個名為“IO die”的獨立晶片,因此可預期在記憶體效能部份將有大幅的提升,新的 Ryzen 處理器擁有可媲美 Intel 處理器的記憶體超頻能力。
在記憶體超頻方面,第三代 Ryzen 處理器在 Zen 2 BIOS 中,記憶體時脈已有 “DDR4-5000” 的選項,這比以往的 Ryzen 處理器大幅增加。DRAM 時脈仍然與 Infinity Fabric 匯流排時脈區域相關聯,這意味著在 DDR4-5000 時,Infinity Fabric 也將在 5000 MHz 上運作。由於該時脈對於 Infinity Fabric 來說仍有一定的距離,因此 AMD 決定在新 Ryzen 處理器上匯流排添加新的 1/2 分頻器模式。啟用後,將以 DRAM 實際時脈的一半運行 Infinity Fabric(例如:DDR4-5000 為 1250 MHz)。
需要留意的是,以上的新技術可能會成為 AMD 新 X570 晶片組主機板的賣點,相信 X570 新晶片組比舊晶片組的主機板具有記憶體時脈空間的優勢,因為它們的 BIOS 不僅包括增加的記憶體時脈上限,而且還有 Infinity Fabric 的分頻模式,當然了這並不代表你買了 X570 主機板就能保證將記憶體超到 5000MHz,仍需要配上好體質的記憶體,而且也考驗主機板廠的記憶體走線設計,現在的 Intel Z390 主機板能穩定跑到 DDR4-5000 的都少之又少。
Techpowerup 還發現 AMD 新平台增加了 SoC OC 模式和 VDDG 電壓控制,暫時未知實際作用,另外,AMD 亦特別是在 Samsung 停止生產 B-die DRAM 晶片之後,在新平台上為記憶體相容性方面作出大量的研究,相信新的 Ryzen 處理器及新 X570 晶片組能為使用者帶來不少的驚喜。
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