AI 資料中心需求爆炸性成長，三星與 SK 海力士正以截然不同的技術路線，爭奪下一代 DRAM 記憶體的制霸地位。三星計畫將 NAND 快閃記憶體的 CUA 電路底置架構移植到 DRAM 設計，並導入 GAAFET 電晶體技術；SK 海力士則押注 4F² 垂直閘極堆疊方案，以更低的 EUV 製程成本換取更高密度。

三星把 NAND 的電路下沉技巧移植進 DRAM

隨著全球 AI 資料中心基礎建設如火如荼展開，記憶體市場正承受前所未有的供應壓力。AI 資料中心的大規模建置帶動運算產品需求急速攀升，使 HBM、DRAM 及其他晶片市場陷入供應緊張的局面，原因在於這些產品高度仰賴相同的原物料進行生產。在這場由 AI 引爆的記憶體戰爭中，兩大南韓晶片巨頭：三星電子 (Samsung Electronics) 與 SK 海力士 (SK hynix) 正悄悄走上截然不同的技術道路，分頭衝刺下一代 DRAM 的量產里程碑。

目前業界對於 DRAM 製程世代的命名方式與應用處理器有所不同。記憶體晶片的製程技術並不以奈米數值命名，而是採用字母代碼來描述一系列製造節點，例如「1c」代表在 10 奈米節點以下生產的產品。當製程微縮逐漸逼近物理極限，傳統的平面式 DRAM 架構已難以為繼，業界普遍認知到，下一步必須走向立體化的革命性架構轉型。

有消息指出，三星正在為其下一代 DRAM 晶片導入 Gate-All-Around FET (GAAFET) 製程技術。在應用處理器的製程中，GAAFET 的設計是讓電晶體的閘極完整環繞通道，由於閘極負責控制電流流向，這種全包覆式的接觸方式能有效提升效能表現。

然而，DRAM 的結構比邏輯晶片更為複雜，因為每顆記憶體晶胞除了電晶體之外，還必須搭配電容器來儲存資料。三星目前考慮的其中一種技術方案，是將負責讀寫等運算管理的周邊電路 (Peripheral Circuit) 放置在記憶體陣列的下方，這種架構正是 NAND 快閃記憶體所採用的設計手法。這個概念在業界通稱為 CUA (Cell Under Array) 架構。簡單來說，就是把「大腦」藏在「倉庫」的正下方，讓整體晶片面積得以大幅縮減，同時維持甚至提升效能密度。

三星目前預計在 2025 年推出基於垂直通道電晶體 (Vertical Channel Transistor, VCT) 技術的早期 3D DRAM 版本，並計畫在 2030 年推出能將所有晶胞元件 (包含電容器) 完整垂直堆疊的進階版本。此外，成功導入 4F² 設計後，晶粒面積可望比現有 6F² 晶胞縮小約 30%，且無需大幅更動整體製程技術。

面對相同的技術挑戰，SK 海力士選擇了另一條解題路徑。SK 海力士正在實驗的 4F² 方案，是讓電晶體以垂直方式堆疊，並以閘極材料環繞包覆，這種設計與 GAAFET 製程有幾分相似；此外，負責從電容器接收資料的晶片元件則被安置在電晶體柱的下方。

SK 海力士在內部將這項技術稱為 VG (Vertical Gate，垂直閘極)。4F² 是一種積體化技術，可讓每顆晶胞僅佔用 2F × 2F 的面積，其中 F 代表半導體製程的最小特徵尺寸，也就是說，4F² 能在相同面積內塞入更多記憶體晶胞。

這項架構的另一個戰略優勢在於降低成本。SK 海力士研究人員指出，透過導入垂直閘極 (VG) 或 3D DRAM 架構，EUV 極紫外光曝光製程的成本有望降低一半，這對於快速飆升的 EUV 製程費用而言是一大突破。在記憶體產業中，EUV 設備動輒數十億美元的導入成本一直是廠商的一大沉重負擔。

根據業界消息，三星與 SK 海力士均以 10 奈米節點以下的 DRAM 為 4F² 架構的應用目標，兩家公司預計在今年底前完成垂直結構 4F² DRAM 早期原型的開發與測試。

兩條技術路線的競爭，不僅是工程師之間的學術辯論，更是攸關產業話語權的商業賽局。依據消息來源，SK 海力士與三星正在競相率先讓各自的技術方案獲得業界認可，成為標準架構，以主導下一代 DRAM 晶片的市場格局。

從更宏觀的視角來看，DRAM 產業的技術演進路徑預計將從 6F² 過渡到 4F²，最終在 2030 年代全面邁向 3D DRAM；在此之前，三星與 SK 海力士都已分別在 1a 奈米節點導入 EUV，並隨著製程推進至 1b、1c 持續增加 EUV 層數。

值得關注的是，無論三星的「NAND 電路底置＋GAAFET」方案，還是 SK 海力士的「4F² 垂直閘極」方案，兩者殊途同歸，最終目標都是打破平面架構的物理瓶頸，以立體化設計征服 AI 時代對記憶體頻寬與容量永無止境的渴求。這場技術路線之爭的勝負，將深刻影響未來幾年 AI 伺服器、HBM 乃至消費性電子裝置所搭載的記憶體長什麼樣子。

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AMD 執行長蘇姿丰表示代理式 AI 帶動 CPU 需求爆發，GPU 市場不減反增

三星電子成功突破業界長達數十年的 10nm DRAM 製程極限，以全新 10a 製程節點將線寬縮減至 9.5~9.7nm，成為全球首款單位數奈米 DRAM 工作晶片。透過導入 4F 方形單元結構與垂直通道電晶體 (VCT) 技術，單顆 IC 的記憶體密度可大幅提升 30~50%，同時降低功耗。三星計畫於 2026 年完成 10a 製程開發、2027 年驗證品質，並在 2028 年正式量產，為 AI 時代高效能記憶體需求提供全新解方。

三星 DRAM 正式進入個位數奈米時代

在半導體產業的競賽中，有些里程碑不是靠發表會宣告，而是靠一顆悄悄點亮的工作晶片來證明。三星電子近期就成功製造出全球首顆採用 10a 製程的 DRAM 工作晶片 (Working Die)，正式宣告記憶體技術邁入個位數奈米的新篇章。

要理解三星這次突破的意義，得先從 DRAM 製程命名說起。業界長期以來將 10nm 級別製程劃分為多個子世代，依序稱為 1x、1y、1z、1a、1b、1c 和 1d，這些雖然都冠上「10nm」之名，但實際上每一代都在微幅縮減電路線寬。而三星最新研發的 10a 製程，正是繼 1d 之後的下一個世代，業界分析估計，10a 製程的實際電路線寬已縮至約 9.5～9.7nm，有望成為業界首款真正突破 10nm 門檻的 DRAM 製程技術。

這次突破的核心之一在於單元結構的根本性改變，目前市面上的商用 DRAM 普遍採用 6F 方形結構，也就是每個記憶體單元佔據 3F × 2F 的長方形空間。這種設計雖然行之有年，但在持續縮製程的壓力下，已愈來愈難以榨出更高密度。

三星這次導入的 4F 方形單元結構，將每個單元的佔地面積改為更接近正方形的 2F × 2F 設計，這個看似單純的幾何調整，卻能帶來驚人的實際效益，每顆 IC 的記憶體單元密度可提升約 30~50%。換句話說，在相同晶片面積下，可以塞進更多記憶體，不僅提升容量，還有助於降低功耗，對從智慧型手機、筆電到資料中心伺服器都是重大利好。

光靠改變單元形狀還不夠，4F 結構的實現還仰賴另一項重要技術：垂直通道電晶體 (Vertical Channel Transistor, VCT)。VCT 技術的核心概念是將儲存電荷用的電容器直接堆疊在電晶體正上方，而不是像傳統設計那樣水平並排，這讓單元縮放更加緊密，也是 4F 結構得以實現的關鍵所在。

三星透過這套垂直通道電晶體架構，讓電晶體與電容器能夠在立體空間中整合，解決了傳統平面設計在極度微縮時所遭遇的物理瓶頸。

製程微縮帶來的另一個挑戰是漏電流的問題：電路越細，要防止電荷悄悄流失就越困難。三星在 10a 製程中將通道材料從傳統矽替換為銦鎵鋅氧化物 (Indium Gallium Zinc Oxide, IGZO)，IGZO 材料在高度微縮的單元中能有效降低漏電流，確保資料保存的可靠性。

不過，材料革新也並非全無挑戰。三星原本計畫將字元線 (Word Line) 材料從氮化鈦 (TiN) 改為電阻更低、且不需要阻障層的鉬 (Molybdenum, Mo)，但鉬在製程上存在腐蝕性強、固態處理困難等問題，需要改造氣體輸送系統與製程控制設備，目前仍在評估當中。

根據目前掌握的資訊，三星計畫於 2026 年完成 10a DRAM 的製程開發，2027 年進行品質驗證，並在 2028 年轉移至量產線正式生產。未來三星還預計將 4F 方形單元與 VCT 結構延續應用於 10b、10c 等後續世代，至於 10d 之後則計畫轉向 3D DRAM 架構。

面對三星的激進佈局，競爭對手的態度卻相當耐人尋味。美光 (Micron) 目前暫緩了自家的 4F 計畫，選擇等待 3D DRAM 技術的成熟，打算直接跳過這個中間世代；至於中國記憶體廠商，由於難以取得先進微影設備，在 3D DRAM 的研發推進上將面臨更高的技術門檻。這場記憶體技術競賽，正以前所未有的速度重新洗牌。

隨著 AI 訓練與推理工作負載持續擴大，市場對更高頻寬、更大容量、更省電的記憶體需求不斷升溫，次 10nm DRAM、4F 單元架構、VCT 製程以及新通道材料，正是整個產業為因應這股浪潮所做出的集體回應。三星這次率先拿出工作晶片，不僅是技術力的象徵，更是在 AI 基礎設施競賽中搶先卡位的重要一步。

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賺翻！Samsung 記憶體部門單季獲利超越 Amazon、Meta 和 Microsoft

三星 Exynos 2600 的誕生絕非偶然，而是一場代價慘重的財務覺醒。2025 年三星在 Galaxy S25 系列全面改用高通 Snapdragon 晶片，導致行動處理器採購支出暴增 25.5%，前三季就突破 10.93 兆韓元 (約 75 億美元)，已與 2024 全年相當。面對高通近乎壟斷的局面，三星不得不加速推進採用 2nm GAA 製程的 Exynos 2600，以降低成本並重建半導體部門的競爭力。

2nm GAA 製程 Exynos 2600 究竟有多強

如果說三星推出 Exynos 2600 是出於技術野心，那只說對了一半。更核心的動機，其實是白花花的鈔票正在大量流失。

根據外媒消息指出，2025 年上半年，三星在晶片採購上的花費接近 7.8 兆韓元 (約 55.7 億美元)，比去年同期暴增了 30%。這筆龐大支出的根源，正是 Galaxy S25 系列當時的全面「高通化」決策，三星在 Galaxy S25 整個旗艦系列改為全程採用高通 Snapdragon 晶片，完全打破過去混合搭配的雙晶片策略，原本規劃用在部分 S25 機型上的 Exynos 2500，因效能疑慮而遭到全面棄用。

然而，業界觀察人士指出，高通晶片的單價幾乎是 Exynos 晶片的六倍。再加上韓元對美元持續走弱，三星從高通和 MediaTek 進口晶片的成本更是節節攀升。

三星前三季的行動處理器採購金額達到 10.93 兆韓元 (約 75 億美元)，年增 25.5%，而這個數字已經與 2024 年全年的採購總額相當。更令人咋舌的是，若以 Galaxy S25 系列來算，光是高通的晶片組，三星就付出了約 38 億美元；加計每台裝置 16.25 美元的授權費，高通從三星身上賺走的金額更是相當可觀。

決定在 Galaxy S25 系列中完全棄用 Exynos 2500，是三星自認其自研 SoC 無法與高通旗艦晶片競爭後不得不做的選擇，但這個決定直接造成約 4 億美元的損失。

三星自 2016 年起便逐漸轉向高通晶片作為高階機種的主要處理器，在 Galaxy S22 出現散熱問題、Exynos 的良率口碑遭受打擊後，更幾乎完全仰賴這家美國供應商。歷史似乎總在重演，但這一次三星決心不再讓故事繼續下去。面對持續失血的財務壓力，三星將全副賭注押在 Exynos 2600 身上，而這顆晶片在技術規格上確實交出了令人期待的成績單。

Exynos 2600 是業界首款採用 2nm GAA (Gate-All-Around) 製程打造的應用處理器，由三星旗下 Device Solutions (DS) 部門設計，並由 Samsung Foundry 負責生產。

這顆晶片搭載基於 ARM v9.3 架構的十核 CPU，並首次導入 Heat Path Block (HPB) 散熱技術，CPU 配置採「1 + 3 + 6」的核心叢集設計，主頻核心時脈達 3.8GHz，整體 CPU 運算效能較前代提升最高 39%，AI 效能方面更是大幅躍進 113%。

繪圖方面，Exynos 2600 搭載 Xclipse 960 GPU，光線追蹤效能較前代提升 50%，整體運算效能則翻倍。影像部分，ISP 新增 AI 視覺感知系統 (VPS)，可支援高達 320MP 的超高解析度相機感測器，並支援深度學習影片降噪技術 (DVNR)，顯著改善低光源環境下的錄影品質。

在安全性方面，Exynos 2600 還加入了混合式後量子密碼學 (PQC) 支援，強化裝置端的資料保護能力。

儘管 Exynos 2600 技術亮眼，三星在 Galaxy S26 的晶片部署上仍採取謹慎的混搭策略。韓國與歐洲市場銷售的機型將搭載最新的 Exynos 2600，而美國、日本及中國市場的版本則繼續使用高通 Snapdragon 晶片，整體比例約呈五五波。

為促進採用率，三星 System LSI 部門將 Exynos 2600 定價設定在比高通 Snapdragon 低約 20 至 30 美元的水準，試圖以更具競爭力的性價比搶占更大份額。不過，Galaxy S26 Ultra 仍將全球統一搭載 Snapdragon 8 Elite Gen 5。

三星在 2025 年 9 月宣布 Exynos 2600 進入量產，當時估計良率約為 50%，而三星內部設定的最低商業化門檻為 70%。對照競爭對手，台積電的 3nm 製程良率早已達到 80%，2nm 更據報已突破 90%，與三星的差距仍相當顯著。

然而形勢正在好轉，隨著 Exynos 2600 出貨量逐步提升，三星半導體部門的虧損已從第二季的近 2.6 兆韓元收窄至第三季的約 1.3 兆韓元，復甦趨勢已逐漸明朗。

早前，市場分析師 Samir Khazaka 點出了三星更深層的戰略意圖：「三星持續投入自研 CPU 與 GPU 設計，很難讓人相信 Exynos 只是為了佔據 Galaxy S 系列 25% 的份額而生。Exynos 2600 在 S26 中拿下約 25%，看起來更像是一個起點，而非終點。」

事實上，三星已在加速推進下一代的 Exynos 2700，目標是在年中前完成量產樣品，有望搭載於明年推出的 Galaxy S27 系列。

從更宏觀的視角來看，全球行動 AP 市場年產值約 350 億美元，高通與聯發科長期瓜分大半，三星此刻的反攻，不只是一場手機晶片的保衛戰，更是整個非記憶體半導體業務能否浴火重生的關鍵一役。

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Samsung Exynos 2700 又出現在 Geekbench 資料庫中，Galaxy S27 旗艦晶片提前曝光？

三星 Galaxy S26 上的 Exynos 2600 SoC 似乎大幅改進過熱降頻問題

Samsung 2026 年 Q1 繳出史上最亮眼成績單，單季營業利益高達 57.2 兆韓元 (約 379 億美元)，年增幅暴衝 755%。更驚人的是，光靠記憶體晶片部門，三星的獲利就已超越 Amazon、Meta 甚至 Microsoft 整間公司的營收。AI 時代誰在默默賺大錢？答案不是做模型的那些人，而是供應記憶體原料的三星。

Samsung 成為這波 AI 熱潮最賺的公司之一

三星沒有自己的聊天機器人，不經營雲端平台，也沒有社群媒體帝國，但在 AI 正式成為全球科技業主旋律的 2026 年，這家韓國企業正在以一種幾乎悄無聲息的方式，成為整個 AI 供應鏈中獲利最豐厚的玩家之一。

2026 年 Q1，三星公布了一份讓整個業界下巴都快掉下來的初步財報：單季營業利益達到 57.2 兆韓元，折合約 379 億美元，相比去年同期暴增了 755%。更誇張的是，這一個季的獲利已經超越三星 2025 年全年的總營業利益。

這波財報爆炸的核心，不是三星的手機、電視或家電，而是它的半導體部門，也就是 Device Solutions (DS) 事業群。分析師估計，DS 部門貢獻了這次獲利的約 95%，光靠晶片業務三星就賺進了 330 至 360 億美元。

這個數字有多誇張？拿幾個科技巨頭來對比就清楚了。Amazon 整間公司在 2025 年 Q4 的營業利益是 250 億美元，Meta 同期則是 247 億美元。三星的記憶體部門，單獨一個季度，就已超越這兩家橫跨雲端、廣告、電商、社群媒體的科技巨頭整體獲利。

要理解三星的崛起，必須先搞懂 AI 到底「吃」什麼。每次你使用 ChatGPT、Gemini、Claude 或任何大型語言模型，背後的資料中心裡，AI 處理器每秒都在進行數十億次運算，而這些運算需要快速存取龐大的資料，這個任務就由「記憶體」負責。在所有記憶體類型中，最關鍵的就是 HBM (High Bandwidth Memory，高頻寬記憶體)，它緊鄰 AI 晶片設計，能以驚人的速度傳輸資料，是目前 AI 伺服器最不可或缺的硬體之一。

全球高效能記憶體晶片 (包含 DDR5 和 HBM4) 的嚴重短缺，讓三星得以大幅提高對資料中心客戶的報價。光是 2025 年第四季，記憶體價格就估計上漲了 40% 至 50%。供需失衡的背後，除了 AI 爆炸性的需求，更因為高端記憶體生產難度極高，業者紛紛將產能轉向 HBM，導致消費端記憶體供給同步收縮，形成一個不斷自我強化的漲價迴圈。

話說回來，三星這次的亮眼成績，其實也是一段艱辛逆轉的故事。時間倒回 2024 年，三星的 HBM3E 晶片未能通過 Nvidia 的認證，直接被拒於 AI 記憶體最高利潤市場門外。競爭對手 SK Hynix 趁勢超車，三星股價持續低迷，外界甚至開始懷疑這家記憶體巨頭是否已錯失 AI 列車。

但三星沒有放棄。它迅速完成下一代 HBM4 晶片的認證，並成功取得多家客戶的設計採用資格，預計在 2026 年下半年搶佔更大的市場份額。包括 Google、Meta、Amazon、Microsoft 以及 OpenAI 在內的頂尖 AI 公司，如今都在排隊等候三星的 HBM 晶片，以充實其 AI 資料中心的硬體庫存。

另外，這波財報揭露的，遠不只是三星的好消息，更是整個 AI 經濟結構的縮影。Meta、Google、Microsoft、OpenAI 這些站在 AI 舞台聚光燈下的公司，正在燒掉數千億美元建設基礎設施。而提供基礎設施所需「原材料」的公司，正將這些支出轉化為自己的利潤。三星，就是這個鏈條最上游的獲益者之一。

根據 CNBC 的報導，三星記憶體業務已連續多季刷新歷史最高的單季營收與獲利紀錄，背後驅動力包括市場報價持續上揚、HBM 出貨量擴大，以及整體記憶體市場的供給吃緊。多家券商分析師現在預測，三星 2026 年全年的營業利益有望突破 100 兆韓元，若記憶體價格維持強勢、HBM 出貨繼續成長，這個數字將是去年全年的兩倍以上。

三星的名字，也許不會出現在任何一個 AI 模型、應用程式或服務的首頁上。但如果沒有它的記憶體晶片，那些閃亮亮的 AI 產品根本無法運作。這才是這家公司真正的護城河。

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Samsung Exynos 2700 又出現在 Geekbench 資料庫中，Galaxy S27 旗艦晶片提前曝光？

Samsung 下一代旗艦處理器 Exynos 2700 再度出現在 Geekbench 跑分資料庫中，這次不僅露出 CPU 單核與多核成績，更確認搭載全新自己研發的 Xclipse 970 GPU。採用全新 4 叢集 10 核架構設計，預計以第二代 2nm GAA 製程打造，目標大幅改善 Exynos 2600 的耗電問題，預計搭載於 2027 年初發表的 Galaxy S27 系列。雖然目前跑分數字尚不亮眼，但工程樣品的早期測試本就如此，真正的實力仍有待後續最佳化完成後揭曉。

Samsung Exynos 2700 再度現身 Geekbench

Galaxy S26 系列才剛上市沒多久，Samsung 下一代旗艦晶片 Exynos 2700 就已經悄悄在 Geekbench 跑分資料庫中留下足跡，而且已經不是第一次了。根據消息人士 Abhishek Yadav 釋出的資訊，這顆代號「Ulysses」、型號為 S5E9975 的處理器再度出現在 Geekbench 的測試紀錄中，這次更完整地揭露 CPU 單核與多核的運算成績，讓外界對這顆預計搭載於 Galaxy S27 系列的晶片有更具體的輪廓。

這次 Exynos 2700 在 Geekbench 的測試中，單核拿下 2,603 分，多核則為 10,350 分。乍看之下這樣的成績甚至略遜於已經上市的 Exynos 2600，特別是單核表現更是有段差距。值得注意的是，Exynos 2700 先前已出現過一次 Geekbench 跑分紀錄，但當時只釋出 Xclipse 970 的 OpenCL 成績，並未包含 CPU 的完整數據，這次才算是比較全面的一次曝光。

然而這樣的數字尚不需恐慌，目前參與測試的裝置屬於工程樣品，在這個開發階段，工程師的工作重點是評估系統穩定性與散熱行為，而非展現最終的運算效能。晶片在此階段通常會刻意降頻運行，因此跑分偏低是業界常態。

話說回來，這顆 Exynos 2700 採用 10 核心的 4 叢集設計，核心配置為：1 顆 2.30GHz、4 顆 2.40GHz、1 顆 2.78GHz 以及 4 顆 2.88GHz。相比之下，先前的 Exynos 2600 是三叢集架構，主核時脈高達 3.8GHz，次核 3.26GHz，效率核則為 2.76GHz。

這設計哲學轉變耐人尋味，看來 Samsung 不再追求單一超大主核衝頂時脈的策略，而是改採更平衡的工作負載分配方式，設計重心已轉向追求持續效能的穩定輸出，而非瞬間峰值表現。這架構調整或許正是 Samsung 針對 Exynos 2600 被詬病的續航與散熱問題所做出的根本性回應。

先前 Exynos 2600 在高負載下峰值功耗可達 30W，直接導致搭載 Snapdragon 8 Elite Gen 5 版本的 Galaxy S26 在續航方面比 Exynos 版本多出約 28%，換算下來超過兩個小時的使用時間。這差距在消費者之間引發不少討論，也讓部分市場對 Exynos 版本保持觀望態度。

而根據目前流傳的規格傳言，新的 Exynos 2700 預計採用 Samsung Foundry 的第二代 2nm 製程 (SF2P)，整體效能有望提升約 12%，功耗更可望較 Exynos 2600 降低達 25%。如果這些數據能在正式發布時兌現，將是 Samsung 自研晶片在市場競爭力上的一大躍進。

在繪圖處理器方面，Samsung 據傳已完全自行開發 Exynos 2700 的 GPU，也就是 Xclipse 970，這次沒有引入 AMD Radeon 團隊的協助。在 OpenCL 圖形測試中，Xclipse 970 拿下 15,618 分的成績。雖然這數字與 Exynos 2600 版 Galaxy S26+ 的 24,964 分相比還有段不小的差距，但考量到目前仍是極早期的工程樣品，會有落差也還在預期之內。

根據 PBX SCIENCE 轉載 Kiwoom Securities 分析師 Park Yoo-ak 的預測，Exynos 2700 預計將於 2026 年下半年進入量產階段，最終搭載於預計 2027 年初亮相的 Galaxy S27 系列。目前 Samsung 的 SF2P 製程良率已達約 50~60%，部分業內消息甚至指出良率已攀升至 70%，逐漸縮小與 TSMC 之間的差距。

Galaxy S27 與 S27+ 系列預計在部分市場搭載 Exynos 2700，延續過去旗艦系列依地區分配不同晶片版本的做法。距離 Galaxy S27 正式亮相仍有相當長的時間，許多規格細節都有可能在這段期間內出現調整，但從目前這批早期測試資料來看，Samsung 在自行研發晶片這條路上的企圖心已相當清晰。

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日本祭出超狂半導體補貼，韓廠 Samsung 與 SK Hynix 卻狠心拒絕？

三星最近剛推出最新的 Galaxy S26 系列手機，其中 Galaxy S26 和 Galaxy S26+在部分地區採用自家旗艦 SoC Exynos 2600，但根據國外科技愛好者測試，這次發熱降頻問題獲得明顯改善。

三星 Exynos 2600 終於擺脫暖暖包評價

據 Wccftech 報導，三星在 Exynos 2600 用上 2nm GAA 製程，搭配 FOWLP 扇出型晶圓級封裝技術， 以及 Heat Path Block (HPB) 散熱技術，成功改善發熱，展現自身在半導體領域耕耘的成果。Exynos 2600 是一顆 10 核心處理器，由 1 顆 3.8 GHz C1-Ultra 核心、3 顆 3.25 GHz 的 C1-Pro 核心加上 6 顆 2.75 GHz 的 C1-Pro 核心組成，GPU 則是三星自家的 Xclipse 960，還有 32K MAC NPU 負責 AI 處理。

國外科技頻道 Vật Vờ Studio 也對 Galaxy S26 進行實測，於室溫 26 度環境中，使用高畫質設定連續玩 3 場英雄聯盟激鬥峽谷、原神與崩壞：星穹鐵道。以 Galaxy S26 遊玩英雄聯盟激鬥峽谷時，平均溫度約 32 度。當用 Galaxy S26+ 玩原神 15 分鐘後，正面最高表面溫度約 38 度，背面度則在 37 到 37.5 度之間波動。改玩崩壞：星穹鐵道時，Galaxy S26+ 仍會遇到 FPS 下降，但手機正面最高溫度才 39 度，背面最高溫度也只略高於 38 度，這樣的表現已一掃過去大家對 Exynos 的印象。

三星看起來已經用 Exynos 2600 證明實力，繼續向高通跟聯發科在手機 SoC 領域發起挑戰，市場上有更多優質晶片選擇，對消費者來說絕對是好事一件。

資料來源 Vật Vờ Studio

資料來源 Wccftech

準備入手三星最新旗艦機的星粉注意了！根據最新外洩消息，備受矚目的 Galaxy S26 Ultra 竟然缺少了一項關鍵功能，導致手機在關機狀態下可能無法透過 Google 的 Find Hub 網路進行追蹤。

Galaxy S26 Ultra 疑似缺少關機追蹤功能

三星最新的頂規旗艦機即將問世，但近期的爆料卻讓許多粉絲捏了一把冷汗。如果你是一個常常忘記手機放哪裡，或是擔心昂貴設備遺失的人，那麼在決定將三星未來的旗艦機作為主力機之前，可能需要再三考慮了。根據最新的外流消息指出，這款預計售價超過 1,000 美元的高階設備，如果在關機的狀態下遺失，你將完全無法追蹤它的下落。這對於把智慧型手機視為重要投資的用戶來說，無疑是一個相當致命的缺點，畢竟這是一項極度關鍵的防走失安全功能。

這次的驚人發現來自於一名 Google 員工所發布的 Galaxy S26 Ultra 系統日誌紀錄。眼尖的外媒 Android Authority 在日誌中發現了一行關鍵的程式碼標籤顯示為不支援藍牙尋找功能，也就是類似蘋果 Find My 網路的 Google Find Hub 功能，將不會在整個 Galaxy S26 系列中提供，這項功能其實早在 Pixel 8 時代就已經存在於 Google 自己的智慧型手機上了。無論外界如何批評 Pixel 手機的軟體或硬體效能，至少這些用戶不必擔心手機弄丟後找不到。然而，作為定價高昂的頂規旗艦， Galaxy S26 Ultra 卻缺少了這項理應具備的基本功能，一旦手機沒電或是被強制關機，想要找回它幾乎是不可能的任務。

在正式發表前，關於這款新機的規格降級傳聞可以說是接連不斷。除了關機無法追蹤的致命傷之外，先前的報導也指出 Galaxy S26 Ultra 的 S Pen 可能會取消藍牙功能，而且其 5000 mAh 的電池循環壽命，甚至比前一代的 Galaxy S25 Ultra 還要少了 800 次。此外，在實體相機感光元件的尺寸上，也被發現落後於其他高階競爭對手。對於那些非常看重設備安全與頂規體驗的消費者，目前看來蘋果的 Find My 網路依然展現出強大的優勢。不過，大家也不用完全絕望，三星仍有極大的機會在 Galaxy S26 系列正式上市後，透過發布軟體更新的方式，重新把 Find Hub 的支援加回去，就讓我們拭目以待官方最終的決策吧。

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有改進但不多？！Google Pixel 10 Pro 評測

Samsung 發布 2025 年第四季財報，憑藉 AI 帶動的記憶體熱潮，單季營收衝上 260 億美元，半導體部門利潤更狂飆 5.6 倍。

AI 浪潮促使 Samsung 半導體迎來超強財報

隨著全球人工智慧產業進入高度成長期，三星電子在 2025 年第四季交出了一份極其亮眼的成績單，正式宣告重回記憶體市場的霸主地位。根據最新的財報顯示，三星在該季度的總銷售額達到了 93.8 兆韓元，換算約 654.5 億美元，較去年同期增長了 24 %。而最令業界震驚的是其獲利能力，單季營業利潤衝上 20.1 兆韓元，也就是約 140.5 億美元，整整比去年同期翻了 3 倍之多。這波增長的核心動能完全來自於半導體部門的強力支撐，該部門在第四季的營收高達 44 兆韓元，年增率 46 %，營運利潤更是驚人地飆升了 5.6 倍，充分展現三星在先進製程與高階儲存方案上的獲利爆發力。

在記憶體業務領域，三星在第四季創造約 259.3 億美元的營收，年成長率達 62 %，這主要歸功於 AI 伺服器對於高帶寬記憶體 (HBM) 的無止盡需求，面對即將到來的 HBM4 時代，三星已經佔據極具優勢的競爭戰略地位。根據產業調查機構 TrendForce 的報告指出，三星正利用領先的 1 cnm 製程技術開發定制化的 HBM4 解決方案，其傳輸速度預計可達到 11.7 Gbps。這個數字遠高於主要競爭對手與 NVIDIA、AMD 等大廠初步要求的 10 Gbps 門檻。業界傳聞指出，三星的 HBM4 已經順利通過嚴苛的驗證測試，最快有望在 2026 年 2 月開始向 NVIDIA 供貨，這將使三星在次世代 AI 算力競賽中領先群雄。

除了儲存晶片的亮眼表現，三星在晶圓代工與系統開發上也展現了強大的野心。三星目前正全力衝刺第二代 2 奈米 GAA 製程的量產與最佳化，目標是獲取更多來自 Qualcomm 等大客戶的訂單。與此同時，為了應對 AI 時代對影像處理的高標準，三星也計畫擴大 2 億像素影像感測器的產品線，並針對 AI KV SSD 等高效能 TLC 儲存設備進行產能擴張。雖然市場預期 2026 年第一季可能會受到季節性因素影響，導致智慧型手機需求放緩，但三星在基礎建設與 AI 硬體端的布局，已為其構築了極深的新技術護城河。

然而，在半導體部門歡慶獲利的同時，負責智慧型手機的 MX 部門卻面臨著截然不同的挑戰。受到全球供應鏈成本上揚與先進處理器報價攀升的壓力，三星移動部門在第四季的營業利潤出現 9.5 % 的小幅衰退。為了轉嫁日益沉重的硬體成本，市場傳出三星內部正在評估調整 Galaxy S26 系列的定價策略。過去三年三星在旗艦系列上多採取凍漲政策，這確實幫助 Galaxy S25 系列在銷售初期取得了傲人戰績，但面對未來更昂貴的 2 奈米處理器與高規記憶體，三星可能會在特定市場調漲約 30 至 60 美元的零售價格，這對於消費者的購買意願將是 2026 年觀察的重點指標。

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三星 (Samsung) 於 CES 2026 展示革命性「零摺痕」OLED 摺疊面板，透過雷射鑽孔金屬板技術完美消除螢幕摺痕。外媒推測此技術將應用於 Galaxy Z Fold 8 及未來的 iPhone Fold，摺疊手機新時代即將來臨！

iPhone Fold 和 Galaxy Z Fold 8 救星來了

對於摺疊手機的愛好者來說，螢幕中間那道「揮之不去」的摺痕，始終是使用上的痛點。無論廠商如何強調轉軸技術的進步，只要在特定角度或光線下，那道痕跡依然清晰可見。然而，這一切或許即將在 CES 2026 畫下句點！

三星在今年的 CES 大展上端出一款震撼業界的「零摺痕」OLED 摺疊面板，不僅視覺上完全平整，更引發外界對於下一代旗艦機 Galaxy Z Fold 8 甚至 iPhone Fold 的無限遐想。

過去幾年，雖然三星在摺疊手機市場佔有率極高，但面對來自如華為、榮耀、OPPO 等品牌，在機身輕薄度與螢幕平整度上的強勢挑戰，三星的腳步似乎顯得有些沈重。尤其許多消費者因為無法接受螢幕摺痕，遲遲不願入手摺疊機。

但在 CES 2026 的展場上，知名科技爆料者 Ice Universe 釋出的照片顯示，三星展示的最新摺疊原型機在完全展開平放時，螢幕表面呈現出驚人的平整度。從照片視角來看，完全找不到任何凹陷或光線扭曲的痕跡，這意味著三星終於攻克了物理限制，實現了真正的「無痕」體驗。

究竟三星是如何做到的？根據相關技術分析，這次的突破關鍵在於螢幕下方的支撐結構。

傳統的摺疊螢幕在彎折時，面板受力不均容易產生永久性的形變 (也就是口語上的摺痕)。而三星這次採用了全新的雷射鑽孔金屬顯示板 (Laser-drilled metal display plate) 技術。這項技術能更有效地分散螢幕在摺疊與展開過程中的機械應力 (Mechanical Stress)，讓面板在反覆彎折後依然能恢復原本的平整狀態。

簡單來說，這塊金屬板就像是螢幕的「記憶骨架」，它吸收了摺疊時的壓力，確保柔性 OLED 面板不會因為長期受力而產生折痕。

除了消滅摺痕，這款新型面板還整合了更成熟的螢幕下鏡頭 (Under-Display Camera, UDC) 技術。未來的摺疊手機展開後，將擁有一塊完整、無開孔的沈浸式大螢幕，無論是觀看 8K 影片還是多工處理，視覺體驗都將大幅提升。

雖然三星早在 Galaxy Z Fold 3 就嘗試過 UDC 技術，但當時的畫素密度與成像品質仍有進步空間。隨著 2026 年技術的成熟，我們或許有理由相信未來的 Galaxy Z Fold 8 將帶來近乎完美的「全螢幕」體驗。

這項技術的亮相，也讓市場對 iPhone Fold 的傳聞再次甚囂塵上。一直以來，蘋果對於摺疊 iPhone 的推出時間表一延再延，主要原因就是蘋果對於螢幕摺痕的「零容忍」態度。

如今三星顯示已拿出了符合蘋果高標準的解決方案，外媒推測，這款無摺痕面板極有可能是為了滿足蘋果需求而開發的先導產品。如果傳聞屬實，我們或許會在 2026 年底或 2027 年見到首款搭載三星面板的摺疊 iPhone。

當然，身為三星自家的親兒子，Galaxy Z Fold 8 預計將是首批受惠的機種。此外，傳聞三星正在開發一款名為 Wide Fold 的新機型，採用類似護照比例的設計，這款神秘新機若能搭配無摺痕螢幕，將直接衝擊現有的平板電腦市場。

不過，新技術往往伴隨著高成本。Ice Universe 也提到，這項無摺痕設計是否能最終量產，取決於三星行動部門 (MX Division) 是否願意支付高昂的面板成本。但考量到競爭對手的步步進逼，三星似乎已無退路，必須拿出「真功夫」來捍衛摺疊王者的寶座。

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