DIY 玩家對於 HBM 記憶體或多或少都有些認識，AMD 在 2015 年的 Fury 系列顯示卡上首次商用第一代 HBM 技術，超高頻寬、超低的佔用面積徹底改變了當時的顯示卡設計，隨後 NVIDIA 在 Tesla P100 上亦採用了 HBM 2 技術，不過消費級市場上使用 HBM2 技術還只有 AMD 的 RX Vega 顯示卡，雖然 HBM 記憶體技術成本相對 GDDR 昂貴，不過記憶體廠商仍然繼續研發更新的 HBM 技術，用於應付未來顯示卡對主流 DRAM 更高容量、更高速度、更高頻寬、封裝大小等的需求。
令人期待在消費級產品使用的 HBM3 記憶體
國外媒體 Tom's Hardware 最新報導指出，雖然 JEDEC 仍未正式公佈 HBM3 技術規範，但過往積極推動 HBM 技術的 SK Hynix 已致力開發下一代 HBM3 高速記憶體，將會接替目前升級版的 HBM2e 技術。
第三代高頻寬記憶體（HBM3）首次於 2016 年出現，HBM3 標準擴大了記憶體容量、提升了記憶體頻寬 ( 512GB/s 或更高) 並降低了電壓與價格。AMD 曾經在 Radeon 顯示卡上使用了 HBM 記憶體，儘管 RX Vega 顯示卡在用上 HBM2 後時脈大幅提升，但實際記憶體介面卻減少一半，加上成本太高，AMD 再也沒有在消費級遊戲卡上用上 HBM 記憶體，現在 AMD 及 NVIDIA 都在運算加速卡、超級電腦上應用 HBM2 或 HBM2e 記憶體，晶片封裝在運算核心旁。
SK Hynix 官方網站中顯示，公司「正在研發」採用 3D 堆疊式設計的 HBM3 技術相關產品，相比現有 HBM2e 技術的 3.6 Gbps I/O Speed，HBM3 已提升至 ≥ 5.2 Gbps，同時頻寬亦由 HBM2e 的 460 GB/s 提升至 ≥ 665 GB/s，計算後 I/O Speed 及頻寬分別提高了 44.4% 及 44.6%，另外亦已有廠商提及將會把 HBM3 技術的 I/O Speed 強化至 7.2 Gbps。
這樣的話，假設一顆處理器晶片中配備四顆 HBM3 記憶體，記憶體介面就可以達到 4096bit，總頻寬 2.66TB/s。
不過，SK Hynix 官網未有透露 HBM3 記憶體的發佈日期，加上 JEDEC 還沒正式公佈 HBM3 技術規範，預計不會這麼快進入消費級市場應用在顯示卡上。
