全新 Low Latency Wide DRAM (LLW DRAM) 技術採用類似 HBM 的整合式封裝設計，專為智慧型手機打造，傳聞可帶來高達 1.5 倍頻寬提升並降低 50% 功耗。小米與華為預計於 2027 年下半年率先導入，有望突破 LPDDR RAM 的效能瓶頸，實現真正的手機端側 AI 運算能力。
智慧型手機可望用 LLW DRAM 技術提升效能
智慧型手機的內部空間極為緊湊，加上散熱問題難以克服，使得高頻寬記憶體 (High Bandwidth Memory, HBM) 至今仍無法順利應用於手持裝置上。然而，業界近期流出的消息顯示，中國智慧型手機品牌已在研發一種名為 Low Latency Wide DRAM (LLW DRAM) 的全新記憶體技術，其封裝架構與 HBM 高度相似，卻更適合手機環境使用。儘管這並非「真正的 HBM」，但 LLW DRAM 的目標明確，就是要解決目前 LPDDR RAM 在效能上的瓶頸，讓手機端側 AI（On-Device AI）的運算能力得到大幅躍升，同時壓低功耗表現。
根據微博爆料帳號「定焦數碼」的最新消息，中國手機廠在 2026 年內推出更快速記憶體方案的可能性微乎其微，但 2027 年下半年才是值得期待的關鍵時間點。目前手機端側 AI 的表現之所以受限，正是因為缺乏 HBM 支援，而 LLW DRAM 的設計初衷，就是要填補這道技術缺口。
根據爆料內容，LLW DRAM 相較於現行標準 (推測為 LPDDR5X) 可提供高達 1.5 倍的效能提升，同時將功耗壓低多達 50%，雖然比較基準尚未被明確說明，但這樣的規格數字若能實現，對整個行動裝置市場而言無疑是一大突破。
事實上，這場手機記憶體革命早已在各大廠商之間悄悄開打。華為此前就已傳出正在開發適用於智慧型手機的 HBM DRAM，而蘋果據報也計劃在 iPhone 20 系列上導入類似技術，三星則是目前唯一明確對外宣示、致力透過複雜封裝技術將 HBM 帶入手機與平板裝置的企業，展現出在這場記憶體競賽中的積極姿態。
與此同時，高通也傳出正與中國記憶體廠商展開合作，研發整合 3D DRAM 的 NPU (神經網路處理單元) 方案，試圖從晶片架構層面徹底革新行動裝置的 AI 運算效能。雖然上述技術究竟何時能正式量產落地，目前仍充滿變數，但可以確定的是，手機記憶體技術正迎來一場前所未有的架構變革。
在手機 AI 的效能提升路徑上，晶片廠商過去幾年已在 NPU 與快閃記憶體的讀寫速度上取得顯著進展，但 DRAM 這個環節卻始終是制約整體效能的弱點。若手機要實現真正意義上的端側 AI 能力，而非仰賴雲端運算，DRAM 的頻寬與延遲性能就必須迎頭趕上。LLW DRAM 正是在這樣的背景下應運而生，它或許不是 HBM 的完整複製，卻可能是現階段最務實、最具可行性的過渡解方，讓手機 AI 的未來不再只是紙上談兵。
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