Micron 正式宣布開始送樣全新 256GB DDR5 RDIMM 記憶體模組，採用最先進的 1-gamma DRAM 製程搭配 3D 堆疊與 TSV 封裝技術，傳輸速度高達 9200 MT/s，比目前市場量產模組快逾 40%。這款專為 AI 伺服器與超大規模資料中心設計的記憶體，不僅大幅提升頻寬與容量，單模組更可比雙 128GB 配置節省超過 40% 的運作功耗，為下一代 AI 基礎架構樹立全新標竿。
1-gamma 製程加持 Micron 256GB RDIMM
隨著大型語言模型、代理型 AI 以及即時推論工作負載的需求急速膨脹，伺服器記憶體產業正面臨前所未有的升級壓力。Micron 在此時間點宣布已向關鍵伺服器生態系夥伴送樣全新 256GB DDR5 RDIMM 記憶體模組，AI 記憶體基礎建設正式邁入一個全新里程碑。
這款新模組最核心的競爭力，來自 Micron 自家最尖端的 1-gamma DRAM 製程節點，模組傳輸速度最高可達 9200 MT/s，直接鎖定 AI 基礎架構、超大規模伺服器以及高效能運算部署場景。相較之下，目前市場上主流量產模組的速度約落在 6400 MT/s，換算下來新模組的效能提升幅度超過 40%，是近年來伺服器記憶體技術最具代表性的一次躍進。
在封裝技術層面，Micron 採用 3D 堆疊 (3DS) 技術搭配矽穿孔 (TSV) 封裝，將多顆記憶體晶粒垂直整合於單一模組之中。這樣的架構設計不但有效提升了訊號完整性，更讓高密度記憶體在高頻運作時依然保持優異的穩定性，為追求極致效能的資料中心提供堅實基礎。
效能的大躍進之外，節能表現同樣令人印象深刻。根據 Micron 的數據，單一 256GB 模組相較於使用兩條 128GB 模組的組合，運作功耗可降低超過 40%。以具體數字來說，兩條 128GB 模組的總功耗約為 19.4W，而單條 256GB 模組僅需 11.1W，在大規模部署的資料中心環境中，這樣的差距對整體能源成本與散熱管理將產生相當顯著的影響。
減少模組數量同時也能簡化 AI 伺服器與運算叢集內部的氣流管理與散熱設計需求，對於空間寸土寸金的超大規模資料中心而言，這無疑是一大實際優勢。
Micron 雲端記憶體事業部資深副總裁暨總經理 Raj Narasimhan 對此次發表表達高度信心。他指出，容量、頻寬與功耗是決定 AI 效能的三大核心驅動力，256GB DDR5 RDIMM 正是基於 1-gamma DRAM 搭配 3DS 及 TSV 封裝所打造，能夠為資料中心架構師提供業界領先的速度與能源效率，協助其更有效率地擴展 AI 基礎架構。
目前這款模組仍處於送樣驗證階段，Micron 正與生態系夥伴合作，針對現有及下一代伺服器平台進行相容性驗證，確保未來進入量產時能達到高水準的系統相容性。業界預期，Micron 可望在今年稍晚啟動這款 DDR5 RDIMM 的大規模量產。
Micron 的 256GB DDR5 RDIMM 讓伺服器架構師、超大規模業者與平台夥伴，得以在資料中心現有的散熱與功耗限制框架內，最大化每個插槽的記憶體容量，正面回應了 AI 時代日益龐大的記憶體需求。
LLM 大型語言模型、代理型 AI、即時推論工作負載以及高核心數 CPU 的迅速普及，正驅動企業伺服器對於更大記憶體容量、更高頻寬以及更強功耗效率的迫切需求。Micron 此次推出的 256GB DDR5 RDIMM，可說是業界對這一波 AI 基礎建設升級潮的直接回應，也預示著伺服器記憶體規格的競賽將在未來幾年間持續白熱化。
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