SK hynix 新一代 DDR5 記憶體晶片現身，代號 X021 / AKBD，為第二代 3Gb A-Die。根據曝光訊息，該晶片原生支援 7200 MT/s JEDEC 規格，將搭配 Intel Arrow Lake Refresh 與 Panther Lake 平台使用。此技術提升將推動 DDR5 高頻記憶體進入 7000 MT/s 世代。
SK hynix 新一代 A-Die 代號現身
Team Group 的 Kevin Wu 近日在 Facebook 社團 Clock'EM UP 上發布了一張照片，展示一條印有 X021 標記與 AKBD 零件代號的新型 SK hynix DDR5 記憶體晶片。X021 代表第二代 3Gb A-Die 晶片，將取代目前的 M-Die (3Gb)，是 SK hynix 最新一代的 DDR5 高頻記憶體。
從 SK hynix 的命名慣例來看，代號中的兩位字母組合代表晶片的原生 JEDEC 速度：
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EB 對應 4800 MT/s
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GB 對應 5600 MT/s
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HB 對應 6400 MT/s
因此，全新的 KB (AKBD) 代號推測對應 7200 MT/s，並已獲得 Kevin Wu 本人回覆確認，代表 SK hynix 新一代 DDR5 晶片將正式原生支援 7200 MT/s JEDEC 標準，不再需要額外超頻達成此速度。
這項技術升級與 Intel 的平台規劃完全吻合。Intel 預計在 Arrow Lake Refresh 與 Panther Lake 平台中正式支援 DDR5-7200，遠超過目前 Raptor Lake (DDR5-5600) 與 Arrow Lake (DDR5-6400)。因此，這批第二代 SK hynix A-Die 晶片可望成為新平台的標準搭檔，為未來高頻 DDR5 記憶體模組奠定基礎。
不過，該曝光樣品似乎使用 8 層 PCB 板設計，這在高頻率下穩定性可能受影響。專家指出，8 層板難以支撐 8000 MT/s 以上穩定運作，即使搭配最新 A-Die 晶片仍會受訊號干擾與電源完整性限制。
相較之下，高階記憶體模組 (如超頻版 DDR5-9000+) 通常採用 10 層或 12 層 PCB，以確保更乾淨的訊號路徑。隨著新一代 A-Die 晶片量產，預期記憶體廠商將搭配更高層數 PCB，以突破現有效能瓶頸。
SK hynix 以 A-Die 晶片打下 DDR5 超頻市場的基礎，如今第二代產品將原生支援 7200 MT/s，預示 DDR5 將正式進入高頻世代。而隨著 Intel 新平台支援與記憶體廠商升級 PCB 結構，DDR5-8000 以上的穩定應用將不再是極限玩家專屬領域，而可能成為主流市場的新常態。
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