大家可能都聽過，在 AMD RDNA4 RX 9070 XT 上，有兩種 GDDR6 記憶體，分別來自 SAMSUNG 和 HYNIX。首發階段的零售版都搭配 HYNIX G6，幾個月後開始出現 SAMSUNG G6 了。據網上資料顯示，使用 SAMSUNG G6 的 RX 9070 XT 有着更低的 VRAM 溫度，差距約有 10 度。所以不少人開始期待抽到使用 SAMSUNG G6 的 RX 9070 XT，直至最近 BILIBILI 頻道 51972 提供另一種見解 (來源)，原來兩者性能也有差！
RDNA 4 HYNIX GDDR6 版要反勝了嗎？
據 51972 的回報，他發現一些高階的 RX 9070 XT 在 3DMARK 跑分中竟輸給入門級的 RX 9070 XT。然而這些輸掉的 RX 9070 XT 剛好都有一個相同之處，那就是使用 SAMSUNG GDDR6。
51972 利用一款名為 CLAM CACHE/MEM BENCHMARK 的測試軟體，測試顯示卡記憶體的延遲表現。雖然被挑選的兩張 RX 9070 XT 來自不同品牌，但記憶體頻率甚至核心頻率都一模一樣。實測發現，使用 SAMSUNG GDDR6 的延遲好像有比較高一點點。
據 TWITTER 網友回報，51972 跑出來的成績好像怪怪的，延遲好像有點太高。筆者利用手上的 RX 6600 XT 自己跑一次，還真的跑不出 300 NS。期待 51972 在末來的橫評測試中詳細解構。
假設真的有 ~2% 的性能差異，筆者猜測這是 BIOS 調校的問題，可能跟 VRAM 記憶體的時序設定有關。畢竟 AMD 官方規格只保頻率，沒提過時序。而跟據筆者以往的經驗，在 GDDR5 上不同記憶體顆粒的預設時序其實也有一點差異，官方規格表上都有列出來。據說這也是為什麼當年 GTX 1000 (GTX1070) 引入美光 GDDR5 後出現大量花屏問題的原因，後來須透過 BIOS 更新解決。這種東西性能有差是不奇怪，溫度低一點好看一點也舒服，就看個人需求了。
