在 HotChips 33 上，SAMSUNG 確認正在開發具有 8 層堆疊 TSV 模組的 DDR5 記憶體模組，是 DDR4 記憶體容量的兩倍。這意味著理論上，512GB 記憶體模組在未來是可能出現的。
SAMSUNG 正在研發 8 層堆疊 TSV DDR5 記憶體模組
透過最佳化封裝，SAMSUNG 計劃推出高度低於 DDR4 4 層堆疊記憶體的 8 層堆疊封裝。由於管芯之間的間隙更小（減少 40%）以及通過實施薄晶圓處理技術，讓高度的降低成為可能。重要的是，8 層 TSV 模組將提供更好的冷卻能力。
一個 8 層堆疊 DDR5 模組將使每個模組的容量高達 512GB。與 DDR4 記憶體相比，這是一個巨大的提升，DDR4 記憶體主要提供最多 32 和 64GB 的容量，向伺服器市場供應有限的 128GB 或 256GB 模組。
三星預計 DDR5 記憶體將提供比 DDR4 高達 85% 的性能提升，高達 7.2 Gbps 的頻寬，以及高達 512GB 的雙倍容量。同時，新模組將具有 1.1V 的更低電壓，這與模組電壓調節相結合將提高電源效率。512GB RDIMM / LRDIMM 模組主要針對資料中心市場。一般消費者不用期待 DDR5 能快速超過 64GB UDIMM 的容量。
根據三星的說法，預計到 2023、2024 年左右，主流市場才會過渡到 DDR5。資料中心市場的轉型應該更快發生，這就是三星計劃在今年年底前生產 512GB DDR5 - 7200 模組的原因。
